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J-GLOBAL ID：202002267897968549   整理番号：20A2448570

CIMPLE-PSI線形デバイスにおけるHe+フラックスとターゲット特性の変化の下でのインドRAFMの曝露【JST・京大機械翻訳】

Exposure of Indian RAFM under variation of He⁺ flux and target emperature in the CIMPLE-PSI linear device

著者 (13件)： Sarmah Trinayan (CIMPLE-PSI Laboratory, Centre of Plasma Physics-IPR, Sonapur 782 402, Assam, India) ,  Dihingia Pubali (CIMPLE-PSI Laboratory, Centre of Plasma Physics-IPR, Sonapur 782 402, Assam, India) ,  Rahman Mizanur (CIMPLE-PSI Laboratory, Centre of Plasma Physics-IPR, Sonapur 782 402, Assam, India) ,  Ghosh J. (Institute for Plasma Research, Gandhinagar 382 428, Gujarat, India) ,  Ghosh J. (Homi Bhabha National Institute (HBNI), Anushaktinagar, Mumbai 400 094, Maharashtra, India) ,  Chaudhuri P. (Institute for Plasma Research, Gandhinagar 382 428, Gujarat, India) ,  Chaudhuri P. (Homi Bhabha National Institute (HBNI), Anushaktinagar, Mumbai 400 094, Maharashtra, India) ,  Srivastava Divesh N. (CSIR-Central Salt & Marine Chemicals Research Institute, Bhavnagar 364 002, Gujarat, India) ,  Satpati B. (Saha Institute of Nuclear Physics, 1/AF Bidhan Nagar, Kolkata 700 064, West Bengal, India) ,  Kumar Sanjiv (National Centre for Compositional Characterisation of Materials, BARC, Secunderabad 500 062, Telangana, India) ,  Kumar Sanjiv (Homi Bhabha National Institute (HBNI), Anushaktinagar, Mumbai 400 094, Maharashtra, India) ,  Kakati M. (CIMPLE-PSI Laboratory, Centre of Plasma Physics-IPR, Sonapur 782 402, Assam, India) ,  Temmerman G. De (ITER Organization, Route de Vinon sur Verdon, CS90 046, St Paul Lez Durance, Cedex 13067, France)
資料名： Nuclear Fusion  (Nuclear Fusion)
巻： 60  号： 10  ページ： 106026 (12pp)  発行年： 2020年 
JST資料番号： H0220B  ISSN： 0029-5515  CODEN： NUFUAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： この論文は,インドの特定の還元活性化フェライトマルテンサイト(IN-RAFM)鋼に及ぼす低温ヘリウム(He)プラズマ曝露の影響の最初の調査を報告する。実験は,イオンフラックス(約3×1022~23m-2s-1)およびターゲット温度(316K~830K)の変化に対して,1.6×1026m-2までのイオンフルエンスに対して,CIMPLE-PSIデバイスで行った。特に,ナノメータサイズの結晶粒構造,ピンホールおよび中空繊維を有する繊維形表面構造が,強い形態変化が観察された。2.3at%までのタングステンの表面濃縮をエネルギー分散X線分光法(EDX)で測定し,Rutherford後方散乱分光法(RBS)測定によって支持された。鉄とクロムがHeイオンによって優先的にスパッタされるので,これは起こった。高いイオン流束(≧8.0×1022m-2s-1)と高いターゲット温度(≧518K)下で生成した多孔質,マイクロメータサイズの表面不均一性はRBSスペクトルの形状に決定的に影響し,データ解析手順の修正を必要とする。光学発光分光観察を通して,鋼のスパッタリング収率は,主に多孔質表面微細構造の形成およびタングステン原子による曝露試料の表面濃縮のため,曝露時間とともに減少することを実証した。RAFMの表面下の気泡の形成と,その後の歪みと破断は,比較的高いターゲット温度,高いイオンフラックス照射条件下で,繊維形構造の形成をもたらすと結論した。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： イオン ,  気泡 ,  表面構造 ,  クロム ,  タングステン ,  鉄 ,  *ヘリウム ,  鋼 ,  スペクトル ,  結晶粒 ,  Rutherford散乱分光法 ,  発光分光法 ,  エネルギー分散X線分光分析 ,  イオン電流
準シソーラス用語： イオンフラックス , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 核融合装置  (BJ02083Z) ,  固体-プラズマ相互作用  (BJ02033W)

タイトルに関連する用語 (6件)： PSI ,  線形 ,  フラックス ,  ターゲット ,  インド ,  曝露