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J-GLOBAL ID：202002267911237881   整理番号：20A2239551

4H-SiC/SiO₂界面での酸化反応におけるウェット酸化種の影響に関する理論的検討

Theoretical study for the effect of wet oxidants on the oxidation reactions at 4H-SiC/SiO₂ interface

著者 (8件)： 清水紀志 (三重大 大学院) ,  秋山亨 (三重大 大学院) ,  PRADIPTO Abdul Muizz (三重大 大学院) ,  中村浩次 (三重大 大学院) ,  伊藤智徳 (三重大 大学院) ,  影島博之 (島根大 大学院) ,  植松真司 (慶応大 理工) ,  白石賢二 (名大 未来研)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 67th  ページ： ROMBUNNO.15p-A201-3  発行年： 2020年02月28日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 【はじめに]SiCは熱酸化によりSiO2絶縁膜が得られ電子デバイスへ適用可能な材料であることから、ワイドギャップ半導体の中でも特に注目を集めている。しかしながら、SiC/SiO2界面では大量の欠陥が形成することが知られており、SiCの熱酸化...【本文一部表示】

シソーラス用語： *界面 ,  電気的性質 ,  *ケイ素 ,  酸化膜 ,  *炭化ケイ素 ,  *二酸化ケイ素 ,  二酸化炭素 ,  安定構造 ,  ヒドロキシ基 ,  発熱反応 ,  絶縁膜 ,  熱酸化 ,  界面構造 ,  ワイドギャップ半導体 ,  第一原理計算 ,  化成皮膜

分類 (2件)： 金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： 4H-SiC ,  SiO2 ,  界面 ,  酸化反応 ,  酸化 ,  理論