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J-GLOBAL ID:202002268074896272   整理番号:20A1007489

石英基板上に堆積したTbドープSrMoO_4薄膜の光ルミネセンス特性【JST・京大機械翻訳】

Photoluminescent properties of Tb-doped SrMoO4 thin films deposited on quartz substrates
著者 (1件):
資料名:
巻: 101  ページ: Null  発行年: 2020年 
JST資料番号: A0236B  ISSN: 1293-2558  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: フランス (FRA)  言語: 英語 (EN)
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Tb3+ドープSrMoO4薄膜を異なる成長温度で高周波マグネトロンスパッタリングにより堆積した。X線回折スペクトルは,成長温度に関係なく,(112)面で起こる主ピークをもつ正方晶系SrMoO_4構造を明らかにした。平均結晶粒径は走査型電子顕微鏡を用いて110nmと決定され,全ての薄膜についてco状形状が観察された。400~1100nmの波長範囲で87.2%の最も高い平均透過率が100°Cの成長温度で堆積した薄膜で観測され,光学バンドギャップエネルギーは4.38eVであることが分かった。273nmでの励起下でのSrMoO_4:Tb3+薄膜の発光スペクトルは,549nmでの主要な発光バンドと469,493,591,および625nmでの4つの弱い発光バンドを示した。最も強い発光は549nmで緑で,5D_4→7F_5磁気双極子遷移から生じた。磁気双極子遷移の強度は,5D_4→7F_6(493nm)電気双極子遷移のそれより大きく,ホスト格子のTb3+イオンが反転対称性を持つサイトを占有することを示した。これらの結果は,成長温度を変調することによって最適な緑色発光が実現できることを示唆している。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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無機化合物のルミネセンス 

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