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J-GLOBAL ID：202002268100803892   整理番号：20A2455538

多層セラミックコンデンサ用の添加剤(Gd_2O_3,SiO_2,MgO)によるBaTi_0.65Zr_0.35O_3のDCバイアス特性【JST・京大機械翻訳】

DC bias characteristics of BaTi_0.65Zr_0.35O₃ with additives (Gd₂O₃, SiO₂, MgO) for multilayer ceramic capacitors

著者 (6件)： Wang Sea-Fue (Department of Materials and Mineral Resources Engineering, National Taipei University of Technology, Taipei, Taiwan, ROC) ,  Hsu Yung-Fu (Department of Materials and Mineral Resources Engineering, National Taipei University of Technology, Taipei, Taiwan, ROC) ,  Chang Chun-Wei (Department of Materials and Mineral Resources Engineering, National Taipei University of Technology, Taipei, Taiwan, ROC) ,  Lai Bo-Cheng (Department of Materials and Mineral Resources Engineering, National Taipei University of Technology, Taipei, Taiwan, ROC) ,  Li Jian-Hua (Holy Stone Enterprise Co., Ltd., 62, Sec.2. Huang Shan Rd., Nei Hu Dist., Taipei, Taiwan) ,  Lai Yuan-Cheng (Holy Stone Enterprise Co., Ltd., 62, Sec.2. Huang Shan Rd., Nei Hu Dist., Taipei, Taiwan)
資料名： Ceramics International  (Ceramics International)
巻： 46  号： 18 PA  ページ： 28227-28236  発行年： 2020年 
JST資料番号： H0705A  ISSN： 0272-8842  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,種々の量のGd_2O_3とSiO_2添加物を有するBaTi_0.65Zr_0.35O_3-2mol%MgOセラミックを固相反応法により作製した。BaTi_0.65Zr_0.35O_3-2mol%,MgO-2mol%およびSiO_2セラミックの緻密化温度は,2.0mol%Gd_2O_3以下の添加で1275°Cであった。Gd3+イオンは優先的にAサイトイオンを置換した。緻密化温度は1225°Cに低下し,セラミックの粒径は,微量のBa_2GdZrO_5.5の生成に加えて,2mol%Gd_2O_3に対して2.96μmまで著しく成長した。tanδの値には顕著な低下があり,電気抵抗率はVO・・石濃度と大きな粒径の減少によりほぼ1桁増加した。Gd_2O_3含有量が2mol%を超えると,Gd3+イオンはBサイト位置に入った。5mol%Gd_2O_3では,緻密化温度は1350°C以上に増加し,粒径が0.84μmに減少し,tanδの値が増加し,電気抵抗率はVO→π濃度の増加の結果として減少した。キャパシタンス曲線の温度係数は,温度と負の温度係数の間にほぼ直線関係を示し,Gd_2O_3とSiO_2含有量の増加とともに反時計回りを回転する。BaTi_0.65Zr_0.35O_3-2mol%MgO-2mol%SiO_2セラミックは室温で871の誘電率を有し,5mol%Gd_2O_3では417に減少した。2mol%SiO_2添加物有りと無しのBaTi_0.65Zr_0.35O_3-2mol%MgOセラミックスの誘電率は2.5KV/mmのバイアス磁場で10.2%減少した。誘電率の変化の大きさは,5mol%Gd_2O_3添加物に対して1.33%まで著しく減少した。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 固相反応 ,  *セラミック ,  電気抵抗率 ,  誘電率 ,  粒径 ,  *酸化マグネシウム ,  緻密化 ,  *磁器コンデンサ ,  静電容量 ,  バイアス ,  多層 ,  温度係数 ,  損失正接
準シソーラス用語： NTC【係数】 ,  *一酸化ケイ素 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： 誘電特性 ,  X7T ,  BaTiO_3 ,  処方 ,  微細構造 ,  DCバイアス

分類 (4件)： 強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B) ,  絶縁材料  (NA04030W) ,  セラミック・磁器の性質  (YC03030G) ,  誘電体一般  (BM05010F)

タイトルに関連する用語 (6件)： 多層 ,  セラミックコンデンサ ,  添加剤 ,  MgO ,  DC ,  バイアス