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J-GLOBAL ID:202002268143244817   整理番号:20A1441643

高エネルギー分解能蛍光検出X線吸収分光法により調べたEuNi_2(Si_1-xGe_x)_2における温度誘起原子価転移【JST・京大機械翻訳】

Temperature-induced valence transition in EuNi2(Si1-x Ge x )2 investigated by high-energy resolution fluorescence detection X-ray absorption spectroscopy
著者 (12件):
資料名:
巻: 175  ページ: Null  発行年: 2020年 
JST資料番号: D0627A  ISSN: 0969-806X  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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x=0.70,0.79,0.82を有する温度誘起原子価遷移系EuNi_2(Si_1-xGe_x)_2の電子構造を,高エネルギー分解能蛍光検出X線吸収分光法(HERFD-XAS)によって調べた。HERFD-XASスペクトルは,温度誘起原子価遷移を直接反映するEu2+とEu3+成分の強度を明らかに変化させた。x=0.70では,緩やかなスペクトル変化は連続原子価遷移を示したが,x=0.79と0.82の劇的な変化は一次原子価遷移を示した。高エネルギー分解能測定は,転移温度以下でより明確に認識される付加的な微細構造を観察することを可能にした。これらの微細構造の存在は,この系の温度誘起原子価遷移において多体効果が重要な役割を果たすことを示唆する。各xに対するHERFD-XASスペクトルから見積もったEu平均原子価の変化は磁化率と相関がある。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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, 【Automatic Indexing@JST】
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その他の物理分析  ,  X線スペクトル 
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