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J-GLOBAL ID:202002268184544596   整理番号:20A0000295

200mm(8インチ)FZシリコン結晶成長の三相線に関する3次元数値解析

3D Numerical studies on the three-phase line in the 200 mm (8-inch) floating zone (FZ) silicon process
著者 (6件):
資料名:
巻: 48th  ページ: ROMBUNNO.30p-A19  発行年: 2019年10月30日 
JST資料番号: L6730B  ISSN: 2188-7268  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 英語 (EN)
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浮遊帯(FZ)プロセスは,低不純物を有するシリコン単結晶を製造するためのるつぼのない技術である。Ratnieksは,流体流と液体-固体界面の形状を調べるために,以前の研究における8インチFZプロセスのための最初の2D対称グローバルモデルを提...【JST・京大機械翻訳】【本文一部表示】
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分類 (1件):
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半導体の結晶成長 
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