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J-GLOBAL ID：202002268307405618   整理番号：20A0471552

歪んだ群-VA単分子層におけるスピンバレーDirac半金属の出現【JST・京大機械翻訳】

Emergence of a spin-valley Dirac semimetal in a strained group-VA monolayer

著者 (4件)： Zhang Meng-Han (School of Physics and Technology, University of Jinan, Jinan, Shandong 250022, People’s Republic of China. [e-mail]) ,  Zhang Shu-Feng ,  Wang Pei-Ji ,  Zhang Chang-Wen
資料名： Nanoscale  (Nanoscale)
巻： 12  号： 6  ページ： 3950-3957  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2323A  ISSN： 2040-3364  CODEN： NANOHL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 一つの単層系におけるDiracとValley物理の組合せは非常に興味深い話題であり,材料科学と凝縮物質物理学において広く注目されている。密度汎関数理論計算を用いて,二次元(2D)シアン化基-VA単分子層,MAs(CN)_2(M=Sb,Bi)が外部歪下でスピンバレーDirac点(svDP)状態に変化することを予測した。対称性保護二次元Dirac半金属(DSM)とは対照的に,svDP材料中のDiracフェルミオンは,SOC下での強いスピン分裂によりスピン非縮退である。驚くべきことに,非等価谷におけるDiracフェルミオンは反対のBerry曲率とスピンモーメントをもつことができ,散逸の少ない輸送を伴うDiracスピンバレーHall効果をもたらす。また,MAs(CN)_2のsvDPは自明状態と非自明状態の間のトポロジー的相転移の重要な状態であることを見出した。有効な強束縛モデルを用いて,歪下でのsvDPの物理とトポロジー相転移を明らかにした。これらの結果は,2D Dirac材料におけるスピンバレー指数の統合に向けてのルートを提供し,バリleにおける多目的で制御可能なデバイスを設計する。Copyright 2020 Royal Society of Chemistry All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： Hall効果 ,  *単分子層 ,  単一層 ,  縮退 ,  凝縮 ,  位相幾何学 ,  材料科学 ,  相転移 ,  対称性 ,  シアン化 ,  二次元
準シソーラス用語： 強束縛モデル ,  スピン分裂 ,  Diracフェルミオン ,  Dirac点 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (5件)： 群 ,  VA ,  単分子層 ,  スピン ,  Dirac半金属