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J-GLOBAL ID：202002268622237230   整理番号：20A2188844

3C-SiC中のカスケードの分子動力学シミュレーションにおける電子阻止【JST・京大機械翻訳】

Electronic stopping in molecular dynamics simulations of cascades in 3C-SiC

著者 (5件)： Zarkadoula Eva (Materials Science & Technology Division, Oak Ridge National Laboratory, Oak Ridge, TN, 37831, USA) ,  Samolyuk German (Materials Science & Technology Division, Oak Ridge National Laboratory, Oak Ridge, TN, 37831, USA) ,  Zhang Yanwen (Materials Science & Technology Division, Oak Ridge National Laboratory, Oak Ridge, TN, 37831, USA) ,  Weber William J. (Materials Science & Technology Division, Oak Ridge National Laboratory, Oak Ridge, TN, 37831, USA) ,  Weber William J. (Department of Materials Science & Engineering, University of Tennessee, Knoxville, TN, 37996, USA)
資料名： Journal of Nuclear Materials  (Journal of Nuclear Materials)
巻： 540  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： D0148A  ISSN： 0022-3115  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 分子動力学シミュレーションを用いて,立方晶炭化ケイ素のイオン照射による欠陥生成に及ぼす電子阻止力の影響を調べた。電子エネルギー損失の有無で20keVと30keVのSiとCイオンをシミュレートした。結果は,電子阻止効果がC照射の場合により顕著であり,電子エネルギー損失Seの原子力エネルギー損失Snに対する比がSiイオンに対する比に比べてはるかに大きいことを示した。これらの知見から,この比がイオン照射に対する電子阻止効果において役割を果たすことを示した。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： イオン ,  エネルギー損失 ,  照射損傷 ,  *計算機シミュレーション ,  *ケイ素 ,  スズ ,  セレン ,  炭化ケイ素 ,  立方晶系 ,  イオン照射 ,  *分子動力学
準シソーラス用語： *分子動力学シミュレーション ,  *3C-SiC ,  ケイ素イオン , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 放射線損傷 ,  炭化ケイ素 ,  分子動力学 ,  電子停止 ,  電子効果

分類 (4件)： 原子炉の構成要素と原子炉材料一般  (MD04010I) ,  金属の放射線による構造と物性の変化  (BK16122N) ,  核燃料の基礎的性質  (MD08020V) ,  核融合装置  (BJ02083Z)

タイトルに関連する用語 (5件)： 3C-SiC ,  カスケード ,  分子動力学シミュレーション ,  電子 ,  阻止