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J-GLOBAL ID：202002268851411144   整理番号：20A0872941

Kelvinソース接続による並列SiC MOSFETの電流分担に及ぼす非対称レイアウトと不均一接合温度の影響【JST・京大機械翻訳】

Effect of Asymmetric Layout and Unequal Junction Temperature on Current Sharing of Paralleled SiC MOSFETs With Kelvin-Source Connection

著者 (3件)： Zhao Cheng (State Key Laboratory of Electrical Insulation and Power Equipment, Xi’an Jiaotong University, Xi’an, China) ,  Wang Laili (State Key Laboratory of Electrical Insulation and Power Equipment, Xi’an Jiaotong University, Xi’an, China) ,  Zhang Fan (State Key Laboratory of Electrical Insulation and Power Equipment, Xi’an Jiaotong University, Xi’an, China)
資料名： IEEE Transactions on Power Electronics  (IEEE Transactions on Power Electronics)
巻： 35  号： 7  ページ： 7392-7404  発行年： 2020年 
JST資料番号： D0211B  ISSN： 0885-8993  CODEN： ITPEE8  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 炭化ケイ素(SiC)コケの並列接続は,高容量応用のための一般的な解決策である。平行したSiCコケのスイッチング速度を改善するために,Kelvinソース接続が広く使われている。しかし,Kelvin源接続を有する平行SiCコケの電流共有に及ぼす非対称レイアウトと不等接合温度の影響は明らかでない。本論文は,理論的解析と実験的検証によって初めて問題を扱った。Kelvinソース接続を持つ場合の非対称レイアウトと不等接合温度から生じる電流不均衡の機構を包括的に調べた。次に,いくつかの重要な発見を得た。静的電流共有性能はドレインと電源寄生インダクタンスによって影響を受けることができて,それは以前にほとんど言及されなかった。さらに,本論文は,最初に,動的電流共有に及ぼす電源寄生インダクタンスの影響が他の寄生インダクタンスと比較して支配的であることを指摘した。さらに,熱的-電気的解析結果は,正の温度依存性の動的電流とスイッチング損失による高いスイッチング周波数におけるKelvin-ソース接続を有する平行SiCコケに対する熱暴走のリスクがあることを示唆した。発見に基づいて,いくつかのガイドラインを,Kelvinソース接続による並列SiCコケのレイアウト設計と応用のために提供した。Copyright 2020 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *電流 ,  *非対称性 ,  スイッチング損失 ,  炭化ケイ素 ,  配置設計 ,  並列接続 ,  温度依存性 ,  *電流分布
準シソーラス用語： 熱暴走 ,  スイッチング周波数 ,  寄生インダクタンス ,  不均衡 ,  スイッチング速度 ,  *接合温度 ,  SiC MOSFET , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  電力変換器  (NB08030B)

タイトルに関連する用語 (8件)： ソース ,  SiC ,  MOSFET ,  電流分担 ,  非対称 ,  レイアウト ,  不均一 ,  接合温度