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J-GLOBAL ID：202002268877209020   整理番号：20A0656421

炭素ドット中間層によるエネルギー準位修飾は効率的なペロブスカイト太陽電池と量子ドットベース発光ダイオードを可能にする【JST・京大機械翻訳】

Energy Level Modification with Carbon Dot Interlayers Enables Efficient Perovskite Solar Cells and Quantum Dot Based Light-Emitting Diodes

著者 (21件)： Zhang Xiaoyu (Key Laboratory of Automobile Materials, Ministry of Education, College of Materials Science and Engineering, Electron Microscopy Center, Jilin University, Changchun, 130012, P. R. China) ,  Zeng Qingsen (State Key Laboratory of Supramolecular Structure and Materials, College of Chemistry, Jilin University, Changchun, 130012, P. R. China) ,  Xiong Yuan (Department of Materials Science and Engineering, and Centre for Functional Photonics (CFP), City University of Hong Kong, Hong Kong SAR, P. R. China) ,  Ji Tianjiao (State Key Laboratory of Supramolecular Structure and Materials, College of Chemistry, Jilin University, Changchun, 130012, P. R. China) ,  Wang Chen (State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics and College of Electronic Science and Engineering, Jilin University, Changchun, 130012, P. R. China) ,  Shen Xinyu (State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics and College of Electronic Science and Engineering, Jilin University, Changchun, 130012, P. R. China) ,  Lu Min (State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics and College of Electronic Science and Engineering, Jilin University, Changchun, 130012, P. R. China) ,  Wang Haoran (Key Laboratory of Advanced Display and System Applications of Ministry of Education, Shanghai University, 149 Yanchang Road, Shanghai, 200072, P. R. China) ,  Wen Shanpeng (State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics and College of Electronic Science and Engineering, Jilin University, Changchun, 130012, P. R. China) ,  Zhang Yu (State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics and College of Electronic Science and Engineering, Jilin University, Changchun, 130012, P. R. China) ,  Yang Xuyong (Key Laboratory of Advanced Display and System Applications of Ministry of Education, Shanghai University, 149 Yanchang Road, Shanghai, 200072, P. R. China) ,  Ge Xin (Key Laboratory of Automobile Materials, Ministry of Education, College of Materials Science and Engineering, Electron Microscopy Center, Jilin University, Changchun, 130012, P. R. China) ,  Zhang Wei (Key Laboratory of Automobile Materials, Ministry of Education, College of Materials Science and Engineering, Electron Microscopy Center, Jilin University, Changchun, 130012, P. R. China) ,  Litvin Aleksandr P. (Center of Information Optical Technology, ITMO University, 49 Kronverksky Pr., St. Petersburg, 197101, Russia) ,  Baranov Alexander V. (Center of Information Optical Technology, ITMO University, 49 Kronverksky Pr., St. Petersburg, 197101, Russia) ,  Yao Dong (State Key Laboratory of Supramolecular Structure and Materials, College of Chemistry, Jilin University, Changchun, 130012, P. R. China) ,  Zhang Hao (State Key Laboratory of Supramolecular Structure and Materials, College of Chemistry, Jilin University, Changchun, 130012, P. R. China) ,  Yang Bai (State Key Laboratory of Supramolecular Structure and Materials, College of Chemistry, Jilin University, Changchun, 130012, P. R. China) ,  Rogach Andrey L. (Department of Materials Science and Engineering, and Centre for Functional Photonics (CFP), City University of Hong Kong, Hong Kong SAR, P. R. China) ,  Rogach Andrey L. (Center of Information Optical Technology, ITMO University, 49 Kronverksky Pr., St. Petersburg, 197101, Russia) ,  Zheng Weitao (Key Laboratory of Automobile Materials, Ministry of Education, College of Materials Science and Engineering, Electron Microscopy Center, Jilin University, Changchun, 130012, P. R. China)
資料名： Advanced Functional Materials  (Advanced Functional Materials)
巻： 30  号： 11  ページ： e1910530  発行年： 2020年 
JST資料番号： W1336A  ISSN： 1616-301X  CODEN： AFMDC6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 輸送を制御し,界面での電荷キャリア捕獲を最小化することは,種々の光電子デバイスの性能にとって重要である。ここでは,安定で,豊富で,容易に合成された炭素ドット(CD)の電子特性を,それらの前駆体のクエン酸とエチレンジアミンの選択された比を通して,表面化学により制御する方法を示した。これにより,薄いCD層の堆積を通して,1.57eVの広い範囲にわたって酸化インジウムスズ(ITO)膜の仕事関数を調整することができる。豊富なアミン基を有するCd修飾剤は,ITO仕事関数を4.64から3.42eVに減少させ,一方,豊富なカルボキシル基を有するものは4.99eVに増加した。金属酸化物(SnO_2とZnO)膜と太陽電池および発光ダイオード(LED)の活性層の間の界面を修飾するためにCDを用いることにより,それらの性能を大幅に改善することができる。CH_3NH_3PbI_3ペロブスカイト太陽電池の電力変換効率は17.3%から19.5%に増加した。CsPbI_3ペロブスカイト量子ドットLEDの外部量子効率は4.8%から10.3%に増加した。そして,CdSe量子ドットLEDのそれは8.1%から21.9%まで増加した。CD膜は溶液処理により空気中で容易に作製されるので,このアプローチは大面積で低コストの光電子デバイスの簡単な製造法を提供する。Copyright 2020 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 捕獲 ,  前駆体 ,  酸化亜鉛 ,  *量子ドット ,  *太陽電池 ,  アミン ,  活性層 ,  仕事関数 ,  *エネルギー準位 ,  界面 ,  酸化インジウムスズ ,  *発光ダイオード ,  カルボキシ基 ,  カドミウム ,  界面化学

著者キーワード (5件)： 炭素ドット ,  界面工学 ,  ITO仕事関数 ,  発光ダイオード ,  太陽電池

分類 (2件)： 太陽電池  (NC03084O) ,  光伝導,光起電力  (BM03050J)

タイトルに関連する用語 (7件)： 炭素ドット ,  中間層 ,  エネルギー準位 ,  修飾 ,  ペロブスカイト太陽電池 ,  量子ドット ,  発光ダイオード