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J-GLOBAL ID:202002269085862607   整理番号:20A0419724

ZnOナノワイヤメムリスタにおける不均一刺激誘起非連想学習挙動【JST・京大機械翻訳】

Heterogeneous stimuli induced nonassociative learning behavior in ZnO nanowire memristor
著者 (6件):
資料名:
巻: 31  号: 12  ページ: 125201 (8pp)  発行年: 2020年 
JST資料番号: W0108A  ISSN: 0957-4484  CODEN: NNOTER  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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非結合学習は生物における生物学的に必須で進化的に適応的な挙動である。電子デバイスに基づく非連想学習の生物工学的シミュレーションは,神経形態学計算に必須である。本研究では,他の周辺制御回路なしにZnOナノワイヤメムリスタにより非連想学習を模倣した。メムリスタは電気的および光学的刺激において馴化および感作挙動を示す。神経科学における習慣の典型的なネットワークレベルのパラメトリック特性をメムリスタで実現した。不均一刺激を同時に適用すると,感作パルスは例外的な応答電流により同定できた。結果は,自然選択規則が現在の単一メムリスタによってシミュレーションできることを示した。Au/ZnOの界面における酸素のトラッピング状態と吸着に基づく可能な機構を提案した。単一メムリスタデバイスにおける非連想学習の実装は,簡単な電子デバイスにより神経形態システムを構築するための道を開く。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (2件):
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固体デバイス製造技術一般  ,  半導体集積回路 

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