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J-GLOBAL ID:202002269098299747   整理番号:20A0496448

陸棚個別セルからの多重接合太陽電池の新しいアプローチ:GaAs/Si【JST・京大機械翻訳】

A new approach for Multi junction solar cells from off the shelf individual cells: GaAs/Si
著者 (5件):
資料名:
巻: 2019  号: PVSC  ページ: 0994-0997  発行年: 2019年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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一つの太陽電池構造における薄膜技術の低コストと高効率多接合概念を組み合わせた多接合太陽電池作製に対する低温及び低圧アプローチを示した。金属間結合アプローチは,それぞれの太陽電池の金属接触を覆う結合インジウム金属を示した。このアプローチは,任意の材料の太陽電池の接続における格子不整合とトンネル接合限界を回避し,市販の棚デバイスまたはテクスチャ表面の結合を可能にする。この方法を用いて結合した二つまたは三つの末端GaAs/Si多接合太陽電池を,棚Si太陽電池を用いて実証した。Copyright 2020 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (2件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
図形・画像処理一般  ,  太陽光発電 

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