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J-GLOBAL ID：202002269165403933   整理番号：20A2556354

単層SnSeにおける電子輸送の理論的研究【JST・京大機械翻訳】

Theoretical study of electronic transport in monolayer SnSe

著者 (4件)： Gopalan Sanjay (The University of Texas at Dallas,Department of Materials Science and Engineering,Richardson,Texas,75080) ,  Gaddemane Gautam (The University of Texas at Dallas,Department of Materials Science and Engineering,Richardson,Texas,75080) ,  Van de Put Maarten L. (The University of Texas at Dallas,Department of Materials Science and Engineering,Richardson,Texas,75080) ,  Fischetti Massimo V. (The University of Texas at Dallas,Department of Materials Science and Engineering,Richardson,Texas,75080)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2020  号： SISPAD  ページ： 363-366  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 単層SnSeは,バルクSnSe結晶を剥離することにより,比較的容易に得られる間接バンドギャップ(λ≧0.92eV)を有する二次元(2D)材料である。ほとんどの2D van der Waals単分子層のように,その層状の性質は,表面界面粗さおよびダングリングボンドのようなバルク材料に見られる欠陥を減少または排除する。ここでは,フルバンドモンテカルロ手法を実行することにより,単層SnSeの低磁場移動度と高磁場特性の第一原理計算の有望な結果を示した。Copyright 2020 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： モンテカルロ法 ,  移動度 ,  単分子層 ,  強磁場 ,  二次元 ,  単一層 ,  弱磁場 ,  *ダングリングボンド
準シソーラス用語： 第一原理計算 ,  界面粗さ ,  間接バンドギャップ ,  *電子輸送 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (4件)： 単層 ,  電子輸送 ,  理論 ,  研究