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J-GLOBAL ID：202002269218342452   整理番号：20A1235640

サファイア上(0001)のYb₂O₃およびLu₂O₃エピタキシャル薄膜の誘電関数の温度依存性

Temperature dependence of dielectric functions in Yb₂O₃ and Lu₂O₃ epitaxial thin films on sapphire (0001)

著者 (7件)： Makino Takayuki (Department of Electric and Electronics Engineering, University of Fukui, Fukui 910-8557, Japan) ,  Asai Takaho (Department of Electric and Electronics Engineering, University of Fukui, Fukui 910-8557, Japan) ,  Takeuchi Tomoya (Department of Electric and Electronics Engineering, University of Fukui, Fukui 910-8557, Japan) ,  Kaminaga Kenichi (Advanced Institute for Materials Research, Tohoku University, Sendai 980-8577, Japan) ,  Oka Daichi (Department of Chemistry, Graduate School of Science, Tohoku University, Sendai 980-8578, Japan) ,  Fukumura Tomoteru (Advanced Institute for Materials Research, Tohoku University, Sendai 980-8577, Japan) ,  Fukumura Tomoteru (Department of Chemistry, Graduate School of Science, Tohoku University, Sendai 980-8578, Japan)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 59  号： SC  ページ： SCCB13 (7pp)  発行年： 2020年02月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： パルスレーザー堆積法で成長させた,サファイア(0001)基板上のYb₂O₃とLu₂O₃膜の基本的なバンドギャップを,温度の関数として光透過率と反射率分光法で測定した。バンドギャップの温度依存性は,フォノン分散効果に基づくモデルによって解析され,光フォノン温度のようなフォノン関連パラメータの観点から説明できることがわかった。また,Yb₂O₃のフォノン分散は,多種多様な元素半導体や二元系半導体のデータをもとに,材料トレンドに該当することがわかった。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： 基板 ,  *酸化イッテルビウム ,  *酸化ルテニウム ,  *薄膜 ,  *誘電関数 ,  温度依存性 ,  パルスレーザ蒸着 ,  バンドギャップ ,  透過率 ,  スペクトロスコピー ,  フォノン分散 ,  フォノン
準シソーラス用語： サファイア基板 ,  *エピタキシャル膜 ,  パルスレーザー堆積法 ,  光透過率 ,  反射分光法 ,  光フォノン

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (7件)： サファイア ,  Yb2O3 ,  Lu2O3 ,  エピタキシャル ,  薄膜 ,  誘電関数 ,  温度依存性