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J-GLOBAL ID：202002269604787312   整理番号：20A2587892

単層GeSeガスセンサ特性に及ぼす二軸歪の影響【JST・京大機械翻訳】

Effect of biaxial strain on the gas-sensing of monolayer GeSe

著者 (5件)： Lu Qunlin (厦門理工学院光電与通信工程学院, 福建省光電技術与器件重点実験室, 厦門 361024) ,  Yang Weihuang (杭州電子科技大学電子信息学院, 智能微伝感器与微系統教育部工程研究中心, 杭州 310018) ,  Xiong Feibing (厦門理工学院光電与通信工程学院, 福建省光電技術与器件重点実験室, 厦門 361024) ,  Lin Haifeng (厦門理工学院光電与通信工程学院, 福建省光電技術与器件重点実験室, 厦門 361024) ,  Zhuang Qinqin (厦門理工学院光電与通信工程学院, 福建省光電技術与器件重点実験室, 厦門 361024)
資料名： Wuli Xuebao  (Wuli Xuebao)
巻： 69  号： 19  ページ： 263-271  発行年： 2020年 
JST資料番号： B0628A  ISSN： 1000-3290  CODEN： WLHPA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 第一原理計算を用いて,H2O,CO,NH3,NO2などのガス分子を吸着した単層GeSeに-8%の二軸歪を印加することにより,吸着系の電子的性質に及ぼす歪の影響とその内在機構を微視的観点から解明した。計算結果により、CO、NH3とNOガス分子は-8%、及びNO2分子は-8%-6%の二軸ひずみ範囲内で、単層GeSeはガスセンサーとしての応用潜在力があることが分かった。大きな圧縮歪(-6%-8%)は,COとNOガスに対する単層GeSeの応答速度と感受性を高めるのに役立った。Data from Wanfang. Translated by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *吸着 ,  アンモニア ,  感受性 ,  単一層 ,  ガスセンサ
準シソーラス用語： 潜在力 ,  圧縮歪 ,  応答速度 ,  第一原理計算 ,  気体分子 ,  *二軸ひずみ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 数理物理学  (BA03000W)

タイトルに関連する用語 (3件)： 単層 ,  ガスセンサ ,  二軸歪