文献

J-GLOBAL ID：202002269751189182   整理番号：20A1019690

単分子層遷移金属ジカルコゲナイドにおけるバレー依存スピン輸送【JST・京大機械翻訳】

Valley-Dependent Spin Transport in Monolayer Transition-Metal Dichalcogenides

著者 (4件)： Ominato Yuya (Kavli Institute for Theoretical Sciences, University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100190, China) ,  Fujimoto Junji (Kavli Institute for Theoretical Sciences, University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100190, China) ,  Matsuo Mamoru (Kavli Institute for Theoretical Sciences, University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100190, China) ,  Matsuo Mamoru (CAS Center for Excellence in Topological Quantum Computation, University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100190, China)
資料名： Physical Review Letters  (Physical Review Letters)
巻： 124  号： 16  ページ： 166803  発行年： 2020年 
JST資料番号： H0070A  ISSN： 0031-9007  CODEN： PRLTAO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： スピン-谷結合のために種々のスピンと谷物理が期待される単分子層遷移金属ジカルコゲニドにおいて理論的に原子価依存スピン輸送を研究した。結果は,スピンが適切なキャリアドーピングで選択的に励起され,谷分極スピン電流(VPSC)が発生することを示した。VPSCは,運動量空間におけるBerry曲率に起因するスピン電流Hall効果,横方向スピン蓄積をもたらす。結果は,スピンバレー結合によるスピン励起が谷とスピン輸送の両方をもたらし,将来の低消費ナノデバイス応用に有望であることを示した。Copyright 2020 The American Physical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： Hall効果 ,  分極 ,  *単分子層 ,  原子価
準シソーラス用語： *スピン輸送 ,  スピン励起 ,  ナノデバイス ,  スピン電流 ,  スピン蓄積 ,  キャリアドーピング , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (3件)： 単分子層 ,  遷移金属ジカルコゲナイド ,  スピン輸送