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J-GLOBAL ID：202002269826272869   整理番号：20A0671953

W形II型GaAsSb/InGaAs/InAlAsナノヘテロ構造の光利得の一軸超高圧依存同調【JST・京大機械翻訳】

Uniaxial ultra-high pressure dependent tuning of optical gain of W-shaped Type-II GaAsSb/InGaAs/InAlAs nano-heterostructure

著者 (8件)： Imran Khan M. (Department of Physics, Banasthali Vidyapith, Banasthali, 304022, Rajasthan, India) ,  Khan A.M. (Department of Electronics & Communication Engineering, Integral University, Lucknow, 226026, UP, India) ,  Kattayat Sandhya (Higher Colleges of Technology, Abu Dhabi, United Arab Emirates) ,  Bhardwaj Garima (Department of Electronics & Communication Engineering, IIMT Engineering College, Meerut, 250001, UP, India) ,  Kaya Savas (Department of Chemistry, Cumhuriyet University, Sivas, 58140, Turkey) ,  Dalela Saurabh (Department of Pure & Applied Physics, University of Kota, Kota, 324005, Rajasthan, India) ,  Kumar Shalendra (Department of Physics, College of Science, King Faisal University, Hofuf, Al-Ahsa, 31982, Saudi Arabia) ,  Alvi P.A. (Department of Physics, Banasthali Vidyapith, Banasthali, 304022, Rajasthan, India)
資料名： Optik  (Optik)
巻： 204  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： D0251A  ISSN： 0030-4026  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,(001),(100)および(110)方向に沿って1から20GPaまでの範囲の可変適用圧力下でのW形状II型GaAsSb/InGaAs/InAlAsナノ構造の光学利得特性の同調性の機構を理解するために主な強調を行った。計算の追求において,(001)方向に沿った不一定圧力の適用は,波長の赤方偏移により光学利得を向上させることができることを調べた。一方,(100)方向圧力は波長の赤方偏移により利得を減少させる。しかし,(110)方向性圧力は,利得特性を改善し始める後に,圧力(~10GPa)のある限界まで利得を減少させることができる。しかし,利得特性の同調範囲は~1550~1900nmの波長限界で制限された。これらの結果は,このような調整可能なヘテロ構造が,新しい高出力IR-LED,裸のLEDチップ,および現代の可変同調可能レーザ利得チップの設計と製造に使用できることを推奨し,1550nmまたは1900nmの波長を持つことができる。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 一軸 ,  可変波長レーザ ,  高圧 ,  同時性 ,  *利得 ,  *ヒ化ガリウムインジウム ,  指向性 ,  赤方偏移 ,  ナノ構造 ,  波長 ,  *同調 ,  *超高圧
準シソーラス用語： *光利得 ,  *ヘテロ構造 ,  *ヒ化アンチモン化ガリウム , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： InGaAs ,  InAlAs ,  GaAsSb ,  光学利得 ,  ヘテロ構造 ,  高圧

分類 (1件)： 半導体レーザ  (BD04070L)

タイトルに関連する用語 (8件)： GaAsSb ,  InGaAs ,  InAlAs ,  ヘテロ構造 ,  光利得 ,  一軸 ,  超高圧 ,  同調