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J-GLOBAL ID：202002269967378113   整理番号：20A0574991

NaドープII型シリコン包接化合物におけるElectronスピン共鳴,動的Jahn-Teller効果および電気輸送機構【JST・京大機械翻訳】

Electron spin resonance, dynamic Jahn-Teller effect, and electric transport mechanism in Na-doped type II silicon clathrates

著者 (9件)： Yamaga Mitsuo (Department of Electrical, Electronic and Computer Engineering, Gifu University, Gifu, 501-1193, Japan) ,  Kishita Takumi (Department of Electrical, Electronic and Computer Engineering, Gifu University, Gifu, 501-1193, Japan) ,  Goto Kouhei (Department of Electrical, Electronic and Computer Engineering, Gifu University, Gifu, 501-1193, Japan) ,  Sunaba Shogo (Department of Electrical, Electronic and Computer Engineering, Gifu University, Gifu, 501-1193, Japan) ,  Kume Tetsuji (Department of Electrical, Electronic and Computer Engineering, Gifu University, Gifu, 501-1193, Japan) ,  Ban Takayuki (Department of Chemistry and Biomolecular Science, Gifu University, Gifu, 501-1193, Japan) ,  Himeno Roto (Environmental and Renewable Energy Systems Division, Graduate School of Engineering, Gifu University, Gifu, 501-1193, Japan) ,  Ohashi Fumitaka (Environmental and Renewable Energy Systems Division, Graduate School of Engineering, Gifu University, Gifu, 501-1193, Japan) ,  Nonomura Shuichi (Environmental and Renewable Energy Systems Division, Graduate School of Engineering, Gifu University, Gifu, 501-1193, Japan)
資料名： Journal of Physics and Chemistry of Solids  (Journal of Physics and Chemistry of Solids)
巻： 140  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： C0202A  ISSN： 0022-3697  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ケイ素クラスレートは,Si多面体ケージにおけるナトリウムのような他の原子をホスティングすることができるSiケージベースの構造である。Electronスピン共鳴(ESR)は,Na_xSi_136(0<x≦24)型のケージ状II型シリコン包接化合物における局在化または非局在化電子の電子構造に関する情報を提供することができる。低温で観測されたESR線は,(1)孤立した単一Na含有ケージ,(2)二つの単一Na含有ケージから成る一対の単一Na含有ケージ,(3)ダングリングボンドを持つシリコン欠陥周辺に局在する電子,(4)伝導電子,の4つの異なるグループに分類される。グループ1のNa原子に対するスピンハミルトニアンパラメータは,オフ中心モデルと単一Na含有Si多面体に対する動的Jahn-Teller効果の組合せにより説明できる。Na含有量,x,グループ1のESR信号の依存性は,II型シリコン包接化合物における孤立した単一Na含有ケージの統計的形成確率によって説明できる。温度が110から500Kに上昇すると,Curie則から1~3のESR信号の偏差は,II型シリコン包接化合物における束縛電子の非局在化状態への遷移を示す。グループ3のESR信号に対する約170Kのより高い転移温度は,電子局在状態から伝導バンドへの約0.12eVと約0.35eVの大きな活性化エネルギーに対応する。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 局在状態 ,  *エレクトロトランスポート ,  温度依存性 ,  転移温度 ,  活性化エネルギー ,  *磁気共鳴 ,  低温 ,  保持器 ,  ダングリングボンド ,  スピンハミルトニアン ,  *ナトリウム ,  電子構造 ,  ケイ素 ,  伝導バンド ,  *ドーピング

著者キーワード (5件)： シリコン包接化合物 ,  Electronスピン共鳴 ,  Jahn-Teller効果 ,  電気伝導率 ,  半導体

分類 (2件)： 錯体のEPR  (BM07025L) ,  その他の無機化合物のEPR  (BM07023D)

タイトルに関連する用語 (6件)： Na ,  ドープ ,  シリコン包接化合物 ,  スピン共鳴 ,  動的Jahn-Teller効果 ,  電気輸送