文献

J-GLOBAL ID：202002270068533395   整理番号：20A2567983

窒素注入湿式酸化による三元Hf_xTa_yO_z膜の成長とキャラクタリゼーション【JST・京大機械翻訳】

Growth and Characterization of Ternary Hf_xTa_yO_z Films via Nitrogen-Infused Wet Oxidation

著者 (4件)： Quah Hock Jin (Institute of Nano Optoelectronics Research and Technology (INOR), Universiti Sains Malaysia, Penang, Malaysia) ,  Ahmad Farah Hayati (Institute of Nano Optoelectronics Research and Technology (INOR), Universiti Sains Malaysia, Penang, Malaysia) ,  Lim Way Foong (Institute of Nano Optoelectronics Research and Technology (INOR), Universiti Sains Malaysia, Penang, Malaysia) ,  Hassan Zainuriah (Institute of Nano Optoelectronics Research and Technology (INOR), Universiti Sains Malaysia, Penang, Malaysia)
資料名： ACS Omega  (ACS Omega)
巻： 5  号： 41  ページ： 26347-26356  発行年： 2020年 
JST資料番号： W5044A  ISSN： 2470-1343  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 種々の温度(400~1000°C)での窒素注入湿式酸化を用いてタンタル-ハフニアをハフニウムドープ酸化タンタル膜に変換した。1000°Cでの高温湿式酸化は,膜中に起こる結晶化の開始をマークし,これは,内部拡散水酸化物イオン間の反応による界面酸化物の形成を伴い,これは,湿式酸化時に水分子から解離した。窒素の存在は界面酸化物形成の制御に支援された。しかし,高温酸化は,水酸化物イオンと反応後,窒素が脱着し,N-H錯体を形成する傾向を引き起こした。さらに,N-H錯体の存在は,水素による酸化物-Si界面での不動態化の減少を示唆した。結果として,欠陥形成は界面で生じ,試料の金属-オキシド-半導体特性に影響した。比較において,600°Cで窒素注入湿式酸化を受けたタンタル-ハフニアは,最高の誘電率,最大のバンドギャップ,および最も低い遅いトラップ密度を得た。Copyright 2020 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 界面 ,  結晶化 ,  高温 ,  *酸化 ,  半導体 ,  誘電率 ,  水素 ,  *窒素 ,  酸化物 ,  高温酸化 ,  不動態化 ,  水酸化物イオン ,  水分子 ,  バンドギャップ ,  *湿式酸化

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X)

タイトルに関連する用語 (5件)： 窒素 ,  注入 ,  湿式酸化 ,  成長 ,  キャラクタリゼーション