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J-GLOBAL ID：202002270160864308   整理番号：20A0836239

アナログ性能のためのゲートアンダーラップ/オーバラップサラウンドゲートナノワイヤTFETの設計と解析【JST・京大機械翻訳】

Design and Analysis of Gate Underlapped/Overlapped Surround Gate Nanowire TFET for Analog Performance

著者 (4件)： Alam Shamshad (Electronics and Communications Engineering, Dr. B.R. Ambedkar National Institute of Technology,Jalandhar,Punjab) ,  Raman Ashish (Electronics and Communications Engineering, Dr. B.R. Ambedkar National Institute of Technology,Jalandhar,Punjab) ,  Raj Balwinder (Electronics and Communications Engineering, Dr. B.R. Ambedkar National Institute of Technology,Jalandhar,Punjab) ,  Kumar Naveen (Electronics and Communications Engineering, Dr. B.R. Ambedkar National Institute of Technology,Jalandhar,Punjab)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2019  号： RTEICT  ページ： 454-458  発行年： 2019年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,p型チャネルのゲート(GAA)トンネル電界効果トランジスタ(TFET)を紹介した。GAAは,チャネル上でより良いゲート制御を有し,それにより,高いI_ON/I_OFF比を提供した。チャネル内のソースとドレインの重なりを導入するとき,従来のGAATFETに水平トンネリングがあるので,電流は急激に増加し,したがって,I_ON/I_OFFになる。サブ閾値傾斜は,ドレイン重なりGAAの場合,20mV/10年以下である。ソース重なりトンネリングは二つの方向で起こり,一方,従来のGAATFETトンネリングではソース-チャネル界面のみにあった。また,GAATFETのドレイン電流の変化によるON電流とオフ電流を比較し,GAATFETのオーバーラップとDrainオーバーラップを比較し,ドレイン重なりGAATFETのより良い結果を得た。Drain重複GAATFETにおいて,サブ閾値勾配は他の2つの構造より低く,従って,それはIONにおける急激な増加を提供する。Copyright 2020 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 界面 ,  チャネル ,  *トンネル効果 ,  電流 ,  アナログ系
準シソーラス用語： オーバラップ ,  ドレイン電流 ,  サブ閾値 ,  ゲート制御 ,  *トンネル電界効果トランジスタ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (4件)： アナログ ,  TFET ,  設計 ,  解析