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J-GLOBAL ID：202002270193398368   整理番号：20A0334507

Janusガリウム酸化物およびカルコゲン化物単分子層の構造,安定性および圧電特性【JST・京大機械翻訳】

Structures, stabilities and piezoelectric properties of Janus gallium oxides and chalcogenides monolayers

著者 (6件)： Cui Yu (College of Chemistry and Material Science, Key Laboratory of Electrochemical Clean Energy of Anhui Higher Education Institutes, The Key Laboratory of Functional Molecular ...) ,  Peng Lei (College of Chemistry and Material Science, Key Laboratory of Electrochemical Clean Energy of Anhui Higher Education Institutes, The Key Laboratory of Functional Molecular ...) ,  Sun Liping (College of Chemistry and Material Science, Key Laboratory of Electrochemical Clean Energy of Anhui Higher Education Institutes, The Key Laboratory of Functional Molecular ...) ,  Li Mengyuan (College of Chemistry and Material Science, Key Laboratory of Electrochemical Clean Energy of Anhui Higher Education Institutes, The Key Laboratory of Functional Molecular ...) ,  Zhang Xiaoli (College of Chemistry and Material Science, Key Laboratory of Electrochemical Clean Energy of Anhui Higher Education Institutes, The Key Laboratory of Functional Molecular ...) ,  Huang Yucheng (College of Chemistry and Material Science, Key Laboratory of Electrochemical Clean Energy of Anhui Higher Education Institutes, The Key Laboratory of Functional Molecular ...)
資料名： Journal of Physics. Condensed Matter  (Journal of Physics. Condensed Matter)
巻： 32  号： 8  ページ： 08LT01 (7pp)  発行年： 2020年 
JST資料番号： B0914B  ISSN： 0953-8984  CODEN： JCOMEL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 表面外対称性の喪失と誘起された内蔵双極子により,二次元(2D)Janus構造は圧電素子,光触媒及び電気化学触媒の分野において種々の潜在的応用を有すると信じられている。本研究では,2D酸化ガリウムとカルコゲン化物(GaX)由来Janus単分子層Ga_2XY(X/Y=O,S,Se,Te)を設計した。著者らの第一原理計算は,Ga_2OTeとは別に,すべての単分子層が熱力学的に,動的で機械的に安定であることを示した。これらの単分子層は広い範囲の1.00~3.24eVのバンドギャップをもつ半導体であることを実証した。Janus単分子層の計算面内圧電係数(d_11=3.09~5.67pm V-1)は,元の単分子層(d_11=0.41~3.04pm V-1)に関して実証的に増強された。一方,付加的な面外圧電係数は0.11から0.34pm V-1の範囲であった。興味あることに,O-関与Janus単分子層は,OからS/Seへの双極子方向フリップ,高い安定性および中程度の直接バンドギャップを示した。特に,Ga_2OSe単分子層は5.67pm V-1の最大圧電係数を持つことが分かった。これはOとSe上の高度に不均衡な電荷分布とGa-OとGa-Se間の最大結合長差に起因する。著者らの研究は,JanusGa_2XY単分子層,特にO関連系がオプトエレクトロニクス,圧電センサおよびエネルギー変換素子の候補として有望であることを明らかにした。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *酸化ガリウム ,  対称性 ,  *単分子層 ,  半導体 ,  二次元 ,  セレン ,  双極子 ,  オプトエレクトロニクス ,  バンドギャップ ,  熱力学 ,  光触媒 ,  圧電素子 ,  電荷分布 ,  電極触媒 ,  核間距離

分類 (4件)： 有機化合物の薄膜  (BK14070L) ,  金属薄膜  (BK14030T) ,  物理的手法を用いた吸着の研究  (CB12043P) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (5件)： ガリウム酸化物 ,  カルコゲン化物 ,  単分子層 ,  安定性 ,  圧電特性