文献

J-GLOBAL ID：202002270471172566   整理番号：20A1099174

遷移金属ジカルコゲナイド1T-VSe_2における室温電荷密度波の達成【JST・京大機械翻訳】

Achieving Room-Temperature Charge Density Wave in Transition Metal Dichalcogenide 1T-VSe₂

著者 (13件)： Feng Jiajia (School of Physics and Key Laboratory of MEMS of the Ministry of Education, Southeast University, Nanjing, 211189, P. R. China) ,  Feng Jiajia (Center for High Pressure Science and Technology Advanced Research, Shanghai, 201203, China) ,  Susilo Resta A. (Center for High Pressure Science and Technology Advanced Research, Shanghai, 201203, China) ,  Lin Bencheng (School of Physics and Key Laboratory of MEMS of the Ministry of Education, Southeast University, Nanjing, 211189, P. R. China) ,  Deng Wen (Center for High Pressure Science and Technology Advanced Research, Shanghai, 201203, China) ,  Wang Yanju (Center for High Pressure Science and Technology Advanced Research, Shanghai, 201203, China) ,  Li Bin (Information Physics Research Center, Nanjing University of Posts and Telecommunications, Nanjing, 210023, China) ,  Jiang Kai (Key Laboratory of Polar Materials and Devices, Ministry of Education Department of Electronic Engineering, East China Normal University, Shanghai, 200241, China) ,  Chen Zhiqiang (Center for High Pressure Science and Technology Advanced Research, Shanghai, 201203, China) ,  Xing Xiangzhuo (School of Physics and Key Laboratory of MEMS of the Ministry of Education, Southeast University, Nanjing, 211189, P. R. China) ,  Shi Zhixiang (School of Physics and Key Laboratory of MEMS of the Ministry of Education, Southeast University, Nanjing, 211189, P. R. China) ,  Wang Chunlei (Key Laboratory of Advanced Micro/Nano Functional Materials of Henan Province, School of Physics and Electronic Engineering, Xinyang Normal University, Xinyang, 464000, China) ,  Chen Bin (Center for High Pressure Science and Technology Advanced Research, Shanghai, 201203, China)
資料名： Advanced Electronic Materials  (Advanced Electronic Materials)
巻： 6  号： 5  ページ： e1901427  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2482A  ISSN： 2199-160X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電荷密度波(CDW)システムは広く研究され,次世代電子デバイスの潜在的候補として提案されている。しかし,室温CDW材料の欠如は,CDWベースの電子デバイスの開発を制限しており,従って,CDWの遷移を操作する方法を見出し,室温に向けての次数が重要である。1T-VSe_2における室温と上記のCDW転移を報告した。CDW転移は0.7GPaで約114Kにシフトし,さらに圧縮は転移温度を劇的に高め,14.6GPaで約358Kに達した。高圧Raman分光測定により,室温CDW秩序が達成され,15GPaまで持続することを確認した。CDWにおけるこのような顕著な増強は,1T-VSe_2における圧力増強面外Fermi面ネスティングとCDWギャップに起因すると考えられる。圧力下での1T-VSe_2における室温および高温CDW遷移の観察は,二次元材料の新しい状態を探索し制御するための新しいプラットフォームを開くだけでなく,CDW関連技術およびデバイスの実用的開発を促進する応用において必要とされるCDWを最適化するための工学的アプローチを提供する。Copyright 2020 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 高圧 ,  高温 ,  最適化 ,  転移温度 ,  *電荷密度波 ,  Raman分光法
準シソーラス用語： 電子素子 ,  Fermi面ネスティング , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： 電荷密度波 ,  電子デバイス ,  遷移金属ジカルコゲナイド

分類 (5件)： 分子構造と性質の実験的研究  (CB01020I) ,  電気物性一般  (BM03010R) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  有機化合物の電気伝導  (BM03045F) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (3件)： 遷移金属ジカルコゲナイド ,  室温 ,  電荷密度波