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J-GLOBAL ID：202002270876252356   整理番号：20A2131976

無欠陥および空格子点欠陥単層PtSe_2ガスセンサの第一原理キャラクタリゼーション【JST・京大機械翻訳】

First principles characterization of defect-free and vacancy-defected monolayer PtSe₂ gas sensors

著者 (3件)： Norouzzadeh Ehsan (Department of Electrical and Computer Engineering, Semnan University, Semnan, CO 3513119111 Iran) ,  Mohammadi Saeed (Department of Electrical and Computer Engineering, Semnan University, Semnan, CO 3513119111 Iran) ,  Moradinasab Mahdi (Institute for Semiconductor Technology and Nanoelectronics, Technische Universitaet Darmstadt, Darmstadt, Germany)
資料名： Sensors and Actuators. A. Physical  (Sensors and Actuators. A. Physical)
巻： 313  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： B0345C  ISSN： 0924-4247  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,NH_3,NO_2,NO,O_2およびCOガス分子の存在下で,純粋および空孔欠陥単層PtSe_2のガス検知特性を調べた。非平衡Green関数(NEGF)形式を用いたガス吸着の前後で,電流-電圧(I-V)特性と誘電関数を計算した。第一原理計算は,PtSe_2のバンドギャップが,NO,NO_2,およびO_2の存在下で減少し,電流を駆動するのに必要なバイアス電圧を低下させるが,NH_3とCOガス分子の存在は,センサのバンドギャップとI-V特性には大きな影響を及ぼさないことを明らかにした。さらに,PtSe_2単層上へのNOとNO_2の吸着は,対応するI-V特性において負の微分抵抗をもたらす。センサ上へのO_2の吸着は,特に,元の単分子層上で,センサの伝導率を増加させた。光学特性の観点から,NO_2とNOガス分子は,純粋と欠陥センサの光吸収スペクトルにおいて異なるエネルギーで新しいピークを誘起し,一方,O_2は欠陥のない構造の吸収スペクトルを変調するだけであった。COの存在下では,スペクトルシフトの主エネルギーピークがシフトし,一方,NH_3の存在は光吸収スペクトルをかなり調節しなかった。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 吸収スペクトル ,  光学的性質 ,  スペクトルシフト ,  電圧 ,  電流 ,  電流電圧特性 ,  単分子層 ,  誘電関数 ,  光吸収スペクトル ,  *バンドギャップ
準シソーラス用語： 微分抵抗 ,  バイアス電圧 ,  第一原理計算 ,  非平衡Green関数 ,  ガス吸着 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 遷移金属ジカルコゲナイド(TMD) ,  二セレン化白金(PtSe_2) ,  ガスセンサー ,  空孔欠陥 ,  NEGF

分類 (2件)： 測光と光検出器一般  (BD07031F) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (6件)： 欠陥 ,  空格子点 ,  単層 ,  ガスセンサ ,  第一原理 ,  キャラクタリゼーション