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J-GLOBAL ID：202002270891863122   整理番号：20A2485642

BiSbTe_3-ySe_y単結晶の成長と構造特性評価【JST・京大機械翻訳】

Growth and structural characterization of BiSbTe_3-ySe_y single crystals

著者 (7件)： Anoop M.D. (Department of Physics, Malaviya National Institute of Technology, Jaipur 302017, India) ,  Yadav Nisha (Department of Physics, Malaviya National Institute of Technology, Jaipur 302017, India) ,  Yadav Jyoti (Department of Physics, Malaviya National Institute of Technology, Jaipur 302017, India) ,  Singh Rini (Graduate School of Engineering, Hiroshima University, Higashi Hiroshima 739-8527, Japan) ,  Jain Ankur (Natural Science Centre for Basic Research and Development, Hiroshima University, Higashi Hiroshima 739-8521, Japan) ,  Ichikawa T. (Graduate School of Engineering, Hiroshima University, Higashi Hiroshima 739-8527, Japan) ,  Kumar Manoj (Department of Physics, Malaviya National Institute of Technology, Jaipur 302017, India)
資料名： Materials Today: Proceedings  (Materials Today: Proceedings)
巻： 31  号： P4  ページ： 622-624  発行年： 2020年 
JST資料番号： W3531A  ISSN： 2214-7853  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Bi_2Te_3,Sb_2Te_3,およびそれらの混合物は,比較的単純な電子バンド構造を有する古典的なトポロジー絶縁体である。これらの材料は室温熱電効果も良く知られている。Fermi準位の調整は,バルク絶縁特性を達成するために,これらの材料において比較的容易と考えられる。本研究は,BiSbTe_3-ySe_y(0≦y≦2.5)固溶体を形成するためにテルルサイトでの等原子価セレン置換によるBiSbTe_3の調製を目的とする。BiSbTe_3-ySe_y(BSTS)の単結晶を改良Bridgman法を用いて合成した。X線回折研究およびモルフォロジー解析は,R3m相において菱面体晶結晶構造を有する高品質単結晶の形成を確認した。格子定数はセレン濃度の増加と共に単調に減少することを見出した。組成BiSbTe_3の格子体積は497.94Å3であり,これは最後の組成BiSbTe_0.5Se_2.5に対して432.90Å3に減少した。エネルギー分散X線分光は試料中の元素の均一分布とその化学組成を確認した。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 化学組成 ,  結晶構造 ,  格子定数 ,  固溶体 ,  *単結晶 ,  セレン ,  原子価 ,  Fermi準位 ,  Bridgman法 ,  熱電効果 ,  三方晶系 ,  X線分光法 ,  トポロジカル絶縁体
準シソーラス用語： 電子バンド構造 ,  *単結晶成長 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： BiSbTe_3-ySe_y固溶体 ,  トポロジカル絶縁体 ,  Fermi準位同調 ,  Bridgman法 ,  単結晶

分類 (4件)： その他の無機化合物の電気伝導  (BM03044O) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  熱電デバイス  (NC03090J)

タイトルに関連する用語 (2件)： 単結晶の成長 ,  特性評価