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J-GLOBAL ID：202002270989315655   整理番号：20A2648877

ドープした量子細線における価電子および伝導サブバンドと熱力学的量に対するGauss不純物パラメータの影響【JST・京大機械翻訳】

Effect of Gaussian impurity parameters on the valence and conduction subbands and thermodynamic quantities in a doped quantum wire

著者 (1件)： Hosseinpour P. (Department of physics, Faculty of sciences, Sahand University of Technology, 53318-17634, Tabriz, Iran)
資料名： Solid State Communications  (Solid State Communications)
巻： 322  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： H0499A  ISSN： 0038-1098  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,Gauss不純物を持つドープ量子ワイヤにおける電子と正孔のエネルギー分散スペクトルに対する不純物パラメータの影響を調べた。数値計算により,キャリアの閉込めが増大すると,エネルギー固有値が増加することを示した。次に,不純物の磁場,減衰長さおよび強度が増加するとき,エネルギー固有値は上昇した。また,不純物のタイプはエネルギーサブバンド構造に影響する。従って,引力不純物の存在は反発不純物に比べてエネルギー固有値を低減する。さらに,熱量に対する制御パラメータとしての不純物パラメータと外部磁場の役割を詳細に実証した。結果は,反発不純物の磁場,減衰長さおよび強度の強化が量子ワイヤのエントロピー(内部エネルギー)を減少させることを示した。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： エントロピー ,  固有値 ,  磁場 ,  数値計算 ,  正孔 ,  *熱力学 ,  *不純物 ,  伝導バンド ,  *ドーピング ,  スペクトル ,  価電子バンド ,  外部磁場 ,  *価電子 ,  *量子細線
準シソーラス用語： *サブバンド , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 量子細線 ,  価電子帯 ,  伝導帯 ,  Gauss不純物 ,  熱特性

分類 (1件)： 不純物・欠陥の電子構造  (BM02100I)

タイトルに関連する用語 (7件)： ドープ ,  量子細線 ,  価電子 ,  伝導 ,  サブバンド ,  不純物 ,  パラメータ