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J-GLOBAL ID：202002271101672689   整理番号：20A0568978

斜方晶GdScO_3(110)_O基板上に成長させたツインフリーエピタキシャルLaFeO_3膜【JST・京大機械翻訳】

Twin-free Epitaxial LaFeO₃ Films Grown on Orthorhombic GdScO₃(110)_o Substrates

著者 (9件)： Park Junho (Department of Physics, Pohang University of Science and Technology, Pohang, Korea) ,  Park Junho (MPHC-CPM, Max Planck POSTECH/Korea Initiative, Pohang, Korea) ,  Kim Younghak (Pohang Accelerator Laboratory, Pohang University of Science and Technology, Pohang, Korea) ,  Lee Doopyo (Department of Physics, Pohang University of Science and Technology, Pohang, Korea) ,  Lee Doopyo (MPHC-CPM, Max Planck POSTECH/Korea Initiative, Pohang, Korea) ,  Song Jong Hyun (Department of Physics, Chungnam National University, Daejeon, Korea) ,  Park Jae-Hoon (Department of Physics, Pohang University of Science and Technology, Pohang, Korea) ,  Park Jae-Hoon (MPHC-CPM, Max Planck POSTECH/Korea Initiative, Pohang, Korea) ,  Park Jae-Hoon (Division of Advanced Materials Science, Pohang University of Science and Technology, Pohang, Korea)
資料名： Journal of the Korean Physical Society  (Journal of the Korean Physical Society)
巻： 76  号： 3  ページ： 273-276  発行年： 2020年 
JST資料番号： T0357A  ISSN： 0374-4884  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： パルスレーザ蒸着(PLD)法を用いて斜方晶GdScO_3(GSO)基板上にエピタキシャルLaFeO_3(LFO)薄膜を成長させた。LFO膜の表面形態はステップとテラスを持つ原子的に制御された表面特性を示した。構造情報をX線回折(XRD)分析により包括的に調べた。GSO基板の斜方晶性は双晶形成を抑制し,双晶のないLFO膜をもたらす。非双晶LFO膜は,100nmまでの厚さまで単斜晶構造で完全に歪んでいた。膜厚がさらに増加すると,歪はかなりの双晶化なしに100nm以上で急激に緩和され,単斜晶歪は斜方晶系バルクLFOのように最小になる。Copyright The Korean Physical Society 2020 Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 双晶 ,  *エピタクシー ,  薄膜成長 ,  *斜方晶系 ,  X線回折 ,  単斜晶系 ,  膜厚 ,  パルスレーザ蒸着 ,  薄膜 ,  表面性状
準シソーラス用語： 双晶化 ,  テラス ,  表面形態 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： LaFeO_3 ,  薄膜 ,  パルスレーザ蒸着

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B)

タイトルに関連する用語 (2件)： 斜方晶 ,  成長