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J-GLOBAL ID：202002271111175902   整理番号：20A2552939

炭化ケイ素マルチチップパワーモジュールを評価するための中電圧オシロスコーププローブの比較【JST・京大機械翻訳】

Comparison of Medium-Voltage Oscilloscope Probes for Evaluating Silicon-Carbide Multi-Chip Power Modules

著者 (5件)： New Christopher D. (The University of Alabama,Electrical and Computer Engineering Department,Tuscaloosa,AL,USA) ,  Lemmon Andrew N. (The University of Alabama,Electrical and Computer Engineering Department,Tuscaloosa,AL,USA) ,  DeBoi Brian T. (The University of Alabama,Electrical and Computer Engineering Department,Tuscaloosa,AL,USA) ,  Helton Jared C. (The University of Alabama,Electrical and Computer Engineering Department,Tuscaloosa,AL,USA) ,  Nelson Blake W. (The University of Alabama,Electrical and Computer Engineering Department,Tuscaloosa,AL,USA)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2020  号： ECCE  ページ： 181-188  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 炭化けい素(SiC)技術の連続改良は,MVシリコン技術で支持されたものより著しく高いエッジ速度と動作周波数をサポートする中電圧(MV)SiC MOSFETの開発につながった。これらのMV半導体が大規模な採用に達する前に,それらの挙動を正確に特性評価し,モデル化する必要がある。このキャラクタリゼーションプロセスは,これらの半導体の高周波挙動を捕捉するための高忠実度時間領域測定を必要とする。多くの刊行物が,1.2kV以下の低電圧(LV)SiC MOSFETsのこのような測定を実行するための課題を論じた。MV SiC MOSFETsを正確に特性化する課題は,文献においてより少ない処理を受けた。プローブ減衰が増加して,プローブ帯域幅が減少するので,LV課題はMVで高まった。本論文は,市販のMVオシロスコープ電圧プローブの詳細な比較を提供する。利用可能なMV電圧プローブのサブセットを5.0kVまで実験的に比較し,その結果を簡単なオシロスコーププローブモデルを用いて解析した。最後に,検討中のプローブの相対的性能を議論し,適切なMVオシロスコープ電圧プローブを選択するためにガイドラインを提供した。Copyright 2020 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *電圧 ,  半導体 ,  プローブ ,  刊行物 ,  *ケイ素 ,  *オシロスコープ ,  MOSFET ,  *炭化ケイ素 ,  HF【周波数】 ,  帯域幅 ,  キャラクタリゼーション
準シソーラス用語： 低電圧 ,  動作周波数 ,  中電圧 ,  時間領域測定 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (5件)： 炭化ケイ素 ,  評価 ,  中電圧 ,  オシロスコープ ,  プローブ