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J-GLOBAL ID：202002271216727368   整理番号：20A1630008

溶媒陰的シミュレーションと平均場理論によるバルクおよび界面でのイオン特異性の一貫した記述【JST・京大機械翻訳】

Consistent description of ion-specificity in bulk and at interfaces by solvent implicit simulations and mean-field theory

著者 (5件)： dos Santos Alexandre P. (Instituto de Fisica, Universidade Federal do Rio Grande do Sul, Caixa Postal 15051, 91501-970 Porto Alegre, RS, Brazil) ,  Uematsu Yuki (Department of Physics, Kyushu University, 819-0395 Fukuoka, Japan) ,  Rathert Alexander (Fachbereich Physik, Freie Universitaet Berlin, 14195 Berlin, Germany) ,  Loche Philip (Fachbereich Physik, Freie Universitaet Berlin, 14195 Berlin, Germany) ,  Netz Roland R. (Fachbereich Physik, Freie Universitaet Berlin, 14195 Berlin, Germany)
資料名： Journal of Chemical Physics  (Journal of Chemical Physics)
巻： 153  号： 3  ページ： 034103-034103-14  発行年： 2020年 
JST資料番号： C0275A  ISSN： 0021-9606  CODEN： JCPSA6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： NaF,NaCl,NaI,KF,KClおよびKI溶液の活量係数および過剰界面張力を予測するために,溶媒-陰的モンテカルロ(MC)シミュレーションおよび平均場理論を用い,全実験利用可能な濃度範囲の実験データと良く一致した。溶媒-陰的シミュレーションモデルの有効イオン直径を,実験活量係数データに適合することによって得た。高塩濃度での実験活量係数は,誘電率のイオン特異的濃度依存減少が含まれる場合にのみ再現される。活量係数に対する単一イオン溶媒和自由エネルギーの誘電率依存性寄与は顕著であり,含まれている。塩溶液のイオン特異的過剰界面張力を説明するために,非理想溶液効果と塩濃度依存誘電減衰に加えて,イオン特異的イオン-界面相互作用を含める必要がある。誘電画像-電荷反発に加えて作用するこのイオン-界面相互作用は,ボックスポテンシャルとしてモデル化され,イオン半径よりもかなり長く,ヨウ化物を除く全てのイオンに対して反発的であり,以前の知見と議論と一致する。バルク非理想溶液挙動,誘電減衰効果,およびイオン界面相互作用ポテンシャルを含む異なるモデルを比較することによって,バルクおよび界面イオン特異的効果対が互いにどのように結合し,部分的に補償するかを示した。イオン相関と界面誘電画像-電荷反発を含むMCシミュレーションを用いて,修正Poisson-Boltzmann理論で使用できる有効イオン-表面相互作用ポテンシャルを決定した。Copyright 2020 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 自由エネルギー ,  モンテカルロ法 ,  *イオン ,  イオン半径 ,  *界面 ,  界面張力 ,  *シミュレーション ,  電荷 ,  誘電率 ,  シミュレーションモデル ,  濃度依存性 ,  理想溶液 ,  *平均場近似
準シソーラス用語： 相互作用ポテンシャル ,  界面相互作用 ,  塩濃度 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 電解質水溶液  (CB05020K) ,  計算機シミュレーション  (JE11000H)

タイトルに関連する用語 (8件)： 溶媒 ,  シミュレーション ,  平均場理論 ,  バルク ,  界面 ,  イオン ,  特異性 ,  記述