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J-GLOBAL ID:202002271228101047   整理番号:20A0769605

非弾性中性子およびRaman分光法により明らかにされたBicuteoおよびBiCuSeの極低熱伝導率の物理的機構【JST・京大機械翻訳】

The physical mechanism of extremely low thermal conductivity of BiCuTeO and BiCuSeO revealed by inelastic neutron and Raman spectroscopy
著者 (9件):
資料名:
巻: 826  ページ: Null  発行年: 2020年 
JST資料番号: D0083A  ISSN: 0925-8388  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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層状構造BiCuSeOに基づく化合物は約0.5~0.8W/m Kの非常に低い熱伝導率を有し,対応する物理的起源は第一原理計算により広く研究されている。ここでは,非弾性中性子およびRaman散乱分光法により,BiCuSeOおよびBiCuTeOにおける極端に低い熱伝導率の物理的機構を実験的に明らかにした。非弾性中性子散乱により特性化された一般化フォノン状態密度(PDOS)は,BiCuSeOとBiCuTeOの平均音響フォノン速度がそれぞれ2104と1547m/sと低く,BiCuSeOとBiCuTeOにおける強い非調和効果を示した。強い非調和効果も,BiCuSeOとBiCuTeO(BiCuTeOの~6.7)の特定の光学フォノンモードの大きなGrueneisen定数によって検証された。光学フォノンモードの最小準粒子寿命として緩和時間の近似の下で,現象論的熱伝導率公式によるBiCuSeOとBiCuTeOの計算熱伝導率は実験値に近い。著者らの研究は,これらの化合物における極端に低い熱伝導率の物理的機構についてより多くの光を当てる。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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半導体結晶の電気伝導 

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