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J-GLOBAL ID：202002271306269344   整理番号：20A0784982

ミスト化学蒸着法を用いて蒸着した非晶質Sn-Ga-O薄膜デバイスのメモリスタ特性【JST・京大機械翻訳】

Memristor property of an amorphous Sn-Ga-O thin-film device deposited using mist chemical-vapor-deposition method

著者 (7件)： Takishita Yuta (Faculty of Science and Technology, Ryukoku University, Otsu, Shiga 520-2194, Japan) ,  Kobayashi Masaki (Faculty of Science and Technology, Ryukoku University, Otsu, Shiga 520-2194, Japan) ,  Hattori Kazuki (Faculty of Science and Technology, Ryukoku University, Otsu, Shiga 520-2194, Japan) ,  Matsuda Tokiyoshi (High-Tech Research Center, Ryukoku University, Otsu, Shiga 520-2194, Japan) ,  Sugisaki Sumio (Faculty of Science and Technology, Ryukoku University, Otsu, Shiga 520-2194, Japan) ,  Nakashima Yasuhiko (Division of Information Science, NAIST (Nara Institute of Science and Technology), Ikoma, Nara 630-0192, Japan) ,  Kimura Mutsumi (Faculty of Science and Technology, Ryukoku University, Otsu, Shiga 520-2194, Japan)
資料名： AIP Advances (Web)  (AIP Advances (Web))
巻： 10  号： 3  ページ： 035112-035112-4  発行年： 2020年 
JST資料番号： U7121A  ISSN： 2158-3226  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ミストCVD法を用いて堆積した非晶質Sn-Ga-O(α-TGO)薄膜素子のメムリスタ特性を見出した。α-TGOデバイスは,Inのようなまれな金属を含まないため,低コストで製造できる。さらに,α-TGOデバイスは,ミストCVD法が大気圧で行われるので,より低いコストで製造できることが期待される。ここでは,ホットウォール型ミストCVD法を用いてα-TGO層を堆積した。メムリスタ特性のヒステリシス曲線が確実に得られ,高抵抗および低抵抗状態に対する電気抵抗は少なくとも20回安定に繰り返された。スイッチング比と再現性は抵抗ランダムアクセスメモリに適用される場合には十分ではないが,それらは神経形態システムにおけるシナプス要素のようないくつかの応用に対して許容できる。Copyright 2020 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *非晶質 ,  スイッチング ,  再現性 ,  シナプス ,  *化学蒸着 ,  *ミスト ,  インジウム ,  ヒステリシス
準シソーラス用語： ReRAM ,  *メモリスタ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (8件)： ミスト ,  化学蒸着法 ,  蒸着 ,  非晶質 ,  Sn ,  Ga ,  薄膜デバイス ,  メモリスタ