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J-GLOBAL ID：202002271360391994   整理番号：20A1685320

IV-VI半導体の凝集エネルギーと関連したパラドックス【JST・京大機械翻訳】

Paradox associated with cohesive energy of IV-VI semiconductors

著者 (1件)： Nanda K.K. (Materials Research Centre, Indian Institute of Science, Bangalore-560012, India)
資料名： Physics Letters. A  (Physics Letters. A)
巻： 384  号： 26  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： C0600B  ISSN： 0375-9601  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 元素系の凝集エネルギーは単純に昇華熱である。しかし,化合物に対する凝集エネルギーは,蒸発時に最終生成物に依存する。異なる記述が最終生成物に基づいて存在し,広い範囲の値が報告されている。ここでは,IV-VI(化合物)半導体に関する文献で報告された凝集エネルギーを比較し,それに関連するパラドックスを議論した。異なる記述と得られた値を分析することによって,IV-VI化合物の昇華熱は分子当たりの凝集エネルギー(分子形で蒸発する)であり,原子当りの凝集エネルギーおよび原子当りの凝集エネルギーは,固体が原子に蒸発するとき,最終生成物に依存すると主張した。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 蒸発 ,  *半導体 ,  昇華熱 ,  逆理 ,  *凝集エネルギー

著者キーワード (2件)： 凝集エネルギー ,  II-VI半導体

分類 (2件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (3件)： IV-VI半導体 ,  凝集エネルギー ,  パラドックス