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J-GLOBAL ID：202002271474085734   整理番号：20A1107988

格子工学によるSiC上の亀裂のないAlNエピ層の柔軟なグラフェン支援van der Waalsエピタクシー成長【JST・京大機械翻訳】

Flexible graphene-assisted van der Waals epitaxy growth of crack-free AlN epilayer on SiC by lattice engineering

著者 (19件)： Wang Yunyu (State Key Laboratory of Solid-State Lighting, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, China) ,  Wang Yunyu (Center of Materials Science and Optoelectronics Engineering, University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, China) ,  Yang Shenyuan (State Key Laboratory of Superlattices and Microstructures, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, China) ,  Yang Shenyuan (Center of Materials Science and Optoelectronics Engineering, University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, China) ,  Chang Hongliang (State Key Laboratory of Solid-State Lighting, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, China) ,  Chang Hongliang (Center of Materials Science and Optoelectronics Engineering, University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, China) ,  Li Weijiang (State Key Laboratory of Solid-State Lighting, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, China) ,  Li Weijiang (Center of Materials Science and Optoelectronics Engineering, University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, China) ,  Chen Xiufang (State Key Laboratory of Crystal Materials, Shandong University, Jinan 250100, China) ,  Hou Rui (State Key Laboratory of Superlattices and Microstructures, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, China) ,  Hou Rui (Center of Materials Science and Optoelectronics Engineering, University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, China) ,  Yan Jianchang (State Key Laboratory of Solid-State Lighting, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, China) ,  Yan Jianchang (Center of Materials Science and Optoelectronics Engineering, University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, China) ,  Yi Xiaoyan (State Key Laboratory of Solid-State Lighting, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, China) ,  Yi Xiaoyan (Center of Materials Science and Optoelectronics Engineering, University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, China) ,  Wang Junxi (State Key Laboratory of Solid-State Lighting, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, China) ,  Wang Junxi (Center of Materials Science and Optoelectronics Engineering, University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, China) ,  Wei Tongbo (State Key Laboratory of Solid-State Lighting, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, China) ,  Wei Tongbo (Center of Materials Science and Optoelectronics Engineering, University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, China)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 520  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： グラフェンはIII族窒化物を成長させる新しいバッファ層として多くの注目を集めている。グラフェン/SiC上の高品質AlN膜の直接van der Waalsエピタクシー(vdWE)を効果的な格子工学により実証し,詳細な核形成機構を示した。グラフェン上のAlN膜は高い単結晶品質を示し,(102)非対称面では79arcsec,(002)対称面では148arcsecの半値全幅(FWHM)を示した。第一原理計算により,グラフェンの導入により,ヘテロエピタクシー系に対する調整可能な格子定数が可能になり,AlNエピ層における二軸歪を効果的に放出できることを実証した。エピ層の歪を最小化する格子工学を,グラフェン2DピークのRamanスペクトルシフトによりさらに確認した。これは,特に紫外線オプトエレクトロニクスデバイスにおいて,デバイスの厳しい要求を満たすために,亀裂のない高品質AlN膜を成長させるための実行可能な方法を提供する。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： Ramanスペクトル ,  *亀裂 ,  格子定数 ,  紫外線 ,  対称性 ,  単結晶 ,  *炭化ケイ素 ,  非対称性 ,  二次元 ,  *窒化アルミニウム ,  バッファ層 ,  FWHM ,  ヘテロエピタクシー ,  *グラフェン
準シソーラス用語： *エピタキシャル層 , 【Automatic Indexing@JST】

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分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (10件)： 格子 ,  工学 ,  SiC ,  亀裂 ,  AlN ,  エピ層 ,  グラフェン ,  支援 ,  VAN ,  エピタクシー成長