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J-GLOBAL ID:202002271569533534   整理番号:20A0495761

正のBias温度不安定性(PBTI)条件下でのIn_0.53Ga_0.47As NFETの寿命予測方法論の理解【JST・京大機械翻訳】

Understanding lifetime prediction methodology for In0.53Ga0.47As nFETs under Positive Bias Temperature Instability (PBTI) condition
著者 (3件):
資料名:
巻: 2019  号: IPFA  ページ: 1-6  発行年: 2019年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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高移動度チャネル材料としての_0.53Ga_0.47Asにおいて,nFETのための強い候補であるが,しかしそれは厳しいPBTI信頼性を有する。本研究では,その寿命予測のための従来法の失敗を示し,そのような技術の特性化における必要なパラダイムシフトを実証した。次に,PBTIに関する包括的調査を実施した。PBTI分解は2つの異なるタイプのトラップを含むことが分かった。それらの特性を支持する明確な証拠を与えた。最初に,異なる動作温度の下で長期間に正確な予測を提供する包括的なAs-Grown生成モデルを確立した。この提案したモデルはトラップの理解に基づいており,したがって,デバイス寿命の終わりにおけるそれらの寄与の詳細な理解を可能にし,将来のプロセス/デバイス最適化の支援を助けることができる。Copyright 2020 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (2件):
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パターン認識  ,  図形・画像処理一般 
タイトルに関連する用語 (5件):
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