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J-GLOBAL ID：202002271600027780   整理番号：20A1110854

界面品質を高めるためのInGaN Schottky太陽電池のシミュレーションと最適化【JST・京大機械翻訳】

Simulation and optimization of InGaN Schottky solar cells to enhance the interface quality

著者 (7件)： Khettou Abderrahim (Laboratoire de Microelectronique Appliquee Universite de Sidi Bel Abbes, BP 89 22000, Sidi Bel Abbes, Algeria) ,  Zeydi Imen (Laboratoire de Micro-Optoelectroniques et Nanostructures, Universite de Monastir, Faculte des Sciences Monastir, Avenue de l’environnement 5019, Monastir, Tunisia) ,  Chellali Mohammed (Laboratoire de Microelectronique Appliquee Universite de Sidi Bel Abbes, BP 89 22000, Sidi Bel Abbes, Algeria) ,  Ben Arbia Marwa (Laboratoire de Micro-Optoelectroniques et Nanostructures, Universite de Monastir, Faculte des Sciences Monastir, Avenue de l’environnement 5019, Monastir, Tunisia) ,  Mansouri Sedik (Laboratoire de Microelectronique Appliquee Universite de Sidi Bel Abbes, BP 89 22000, Sidi Bel Abbes, Algeria) ,  Helal Hicham (Laboratoire de Microelectronique Appliquee Universite de Sidi Bel Abbes, BP 89 22000, Sidi Bel Abbes, Algeria) ,  Maaref Hassen (Laboratoire de Micro-Optoelectroniques et Nanostructures, Universite de Monastir, Faculte des Sciences Monastir, Avenue de l’environnement 5019, Monastir, Tunisia)
資料名： Superlattices and Microstructures  (Superlattices and Microstructures)
巻： 142  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： D0600B  ISSN： 0749-6036  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： InGaN/GaN Schottky太陽電池を,高効率に達するためにSilvaco-Atlasソフトウェアを用いてAM1.5照明下で数値的に調べた。シミュレーション結果によると,インジウム組成(x_In)が54%を超えると,変換効率は急激に低下し,大きな価電子帯オフセットが現れた。この破壊は,高インジウム組成における大きな格子不整合によるそれらの収集前に発生したキャリアの再結合によって説明できる。この可能性を克服するために,n-InGaNとn-GaN間の界面を改善し,Schottky太陽電池性能を向上させるための効果的なプロセスを確立した。得られた結果は,x_In=60%で,2.25%から18.48%への効率の明確な増強を予測した。この構造の最適化は,x_In=54%,金属仕事関数W_f=6.3eV,ドーピング濃度N_d=2×10~17cm-3,InGaN層厚T_InGaN=0.18μmの最適値に対して21.69%の重要な効率を達成した。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *界面 ,  再結合 ,  *最適化 ,  仕事関数 ,  *シミュレーション ,  *太陽 ,  *太陽電池 ,  インジウム ,  ドーピング ,  ソフトウェア ,  価電子バンド ,  *窒化ガリウム ,  格子不整合
準シソーラス用語： *InGaN ,  最適値 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (7件)： Schottky太陽電池 ,  n-GaN/n-InGaN ,  ヘテロ界面 ,  傾斜層 ,  インタフェイス改善 ,  最適化 ,  Silvaco-Atlasソフトウェア

分類 (3件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  酸化物薄膜  (BK14050P) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： 界面 ,  InGaN ,  太陽電池 ,  シミュレーション ,  最適化