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J-GLOBAL ID：202002271641188780   整理番号：20A0903086

iot応用のための80MHzアクセスによる0.15pJ/ビット読出しエネルギーを実現する65nm SOTB技術を用いた2T-MONOS埋め込みフラッシュマクロ【JST・京大機械翻訳】

A 2T-MONOS Embedded Flash Macro With 65-nm SOTB Technology Achieving 0.15-pJ/bit Read Energy With 80-MHz Access for IoT Applications

著者 (12件)： Matsubara Ken (Memory IP Technology Department 1, Renesas Electronics, Kodaira, Japan) ,  Nagasawa Tsutomu (Memory IP Technology Department 1, Renesas Electronics, Kodaira, Japan) ,  Kaneda Yoshinobu (Memory IP Technology Department 1, Renesas Electronics, Kodaira, Japan) ,  Mitani Hidenori (Memory IP Technology Department 1, Renesas Electronics, Kodaira, Japan) ,  Iwase Takashi (Memory IP Technology Department 1, Renesas Electronics, Kodaira, Japan) ,  Aoki Yasunobu (Memory IP Technology Department 1, Renesas Electronics, Kodaira, Japan) ,  Hashimoto Kohei (Memory IP Technology Department 1, Renesas Electronics, Kodaira, Japan) ,  Morioka Toshiaki (Memory IP Technology Department 1, Renesas Electronics, Kodaira, Japan) ,  Maekawa Keiichi (Renesas Electronics, Hitachinaka, Japan) ,  Ito Takashi (Memory IP Technology Department 1, Renesas Electronics, Kodaira, Japan) ,  Kondo Hiroyuki (Memory IP Technology Department 1, Renesas Electronics, Kodaira, Japan) ,  Kono Takashi (Memory IP Technology Department 1, Renesas Electronics, Kodaira, Japan)
資料名： IEEE Solid-State Circuits Letters  (IEEE Solid-State Circuits Letters)
巻： 3  ページ： 58-61  発行年： 2020年 
JST資料番号： W3688A  ISSN： 2573-9603  CODEN： ISCLCN  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： モノのインターネット応用範囲を拡大するために,超低活性エネルギー操作は,エッジ装置において不可欠である。特に,埋め込まれたフラッシュ(eFlash)メモリにおける読取エネルギー低減は,エネルギー収穫(EH)によって発生する限られたエネルギーによるリアルタイムセンシングを可能にするために強く要求される。このレターでは,1.5Mbと256KB 2T-MONOS eFlashマクロを,SOTBデバイスの固有の利点を強化する低エネルギーセンス増幅器とデータ伝送回路技術を採用して,65nmシリコン-オン-薄型BOX(SOTB)技術を用いて開発した。これらのマクロは,エネルギー源としてEH技術を利用するのに十分低い,80MHzのランダム読取アクセス能力を有する0.15pJ/ビットの読出しエネルギーを達成した。Copyright 2020 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 活性化エネルギー ,  *記憶装置 ,  センス増幅器
準シソーラス用語： エネルギーハーベスティング ,  モノのインターネット ,  *読出し , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (9件)： IoT ,  応用 ,  アクセス ,  ビット ,  読出し ,  エネルギー ,  埋め込み ,  フラッシュ ,  マクロ