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J-GLOBAL ID：202002271688129327   整理番号：20A0647290

バルクDirac半金属に基づく単一およびデュアルバンド変換可能テラヘルツ吸収体【JST・京大機械翻訳】

Single- and dual-band convertible terahertz absorber based on bulk Dirac semimetal

著者 (11件)： Fang Panpan (Key Laboratory for Micro/Nano Optoelectronic Devices of Ministry of Education, School of Physics and Electronics, Hunan University, Changsha 410082, China) ,  Fang Panpan (Hunan Provincial Key Laboratory of Low-Dimensional Structural Physics and Devices, School of Physics and Electronics, Hunan University, Changsha 410082, China) ,  Shi Xinwei (Key Laboratory for Micro/Nano Optoelectronic Devices of Ministry of Education, School of Physics and Electronics, Hunan University, Changsha 410082, China) ,  Shi Xinwei (Hunan Provincial Key Laboratory of Low-Dimensional Structural Physics and Devices, School of Physics and Electronics, Hunan University, Changsha 410082, China) ,  Liu Chang (Key Laboratory for Micro/Nano Optoelectronic Devices of Ministry of Education, School of Physics and Electronics, Hunan University, Changsha 410082, China) ,  Liu Chang (Hunan Provincial Key Laboratory of Low-Dimensional Structural Physics and Devices, School of Physics and Electronics, Hunan University, Changsha 410082, China) ,  Zhai Xiang (Key Laboratory for Micro/Nano Optoelectronic Devices of Ministry of Education, School of Physics and Electronics, Hunan University, Changsha 410082, China) ,  Zhai Xiang (Hunan Provincial Key Laboratory of Low-Dimensional Structural Physics and Devices, School of Physics and Electronics, Hunan University, Changsha 410082, China) ,  Li Hongjian (School of Physics and Electronics, Central South University, Changsha 410083, China) ,  Wang Lingling (Key Laboratory for Micro/Nano Optoelectronic Devices of Ministry of Education, School of Physics and Electronics, Hunan University, Changsha 410082, China) ,  Wang Lingling (Hunan Provincial Key Laboratory of Low-Dimensional Structural Physics and Devices, School of Physics and Electronics, Hunan University, Changsha 410082, China)
資料名： Optics Communications  (Optics Communications)
巻： 462  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： A0678B  ISSN： 0030-4018  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 金属基板上に堆積した誘電体層に埋め込まれたBDSディスクアレイを提案する,バルクDirac半金属(BDS)に基づく単一および二重バンド変換可能完全吸収体を提案した。新しい材料の使用において,BDSの構造を複雑にパターン化しない簡単な構造において二つの異なるモードを統合した。シミュレーション結果は,モードf1とモードf2の半値全幅(FWHM)がそれぞれΔf=4×10-2THzと2.4×10-2THzであることを示した。そして,著者らの吸収体の吸収スペクトルは,結合モード理論(CMT)によって,よく説明することができた。包括的な解析により,二重バンド吸収体に対して,二つの吸収ピークは,別々に局在共振器共鳴とセル間電気共鳴に起因することを示した。BDSディスクの半径が適切に選ばれると,二重バンド吸収体が単一バンド吸収体に変換できることを見出すことは興味深い。従来の金属ベース吸収体と異なり,提案した吸収体の吸収周波数は,BDSのFermiエネルギーを20から50meVに変えることにより調整でき,一方,92%以上の高い吸収効率を維持した。さらに,提案した吸収体は0°から60°までの入射角に対してロバストである。したがって,本論文は,BDSに基づく単純な構造を有する単一および二重バンド変換可能な吸収体を調査するためのガイドラインを提供するかもしれない。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： ディスクアレイ ,  吸収スペクトル ,  *テラヘルツ波 ,  *吸収体 ,  FWHM ,  入射角 ,  共振器 ,  ロバスト性 ,  シミュレーション ,  共鳴 ,  パターン形成 ,  誘電体 ,  円板 ,  Fermi準位
準シソーラス用語： *デュアルバンド , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： BDS ,  メタマテリアル吸収体 ,  デュアルバンド ,  角度独立

分類 (1件)： 光導波路,光ファイバ,繊維光学  (BD06030H)

タイトルに関連する用語 (5件)： バルク ,  Dirac半金属 ,  デュアルバンド ,  テラヘルツ ,  吸収体