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J-GLOBAL ID：202002271699744481   整理番号：20A0042097

SiCデバイスの単一粒子効果感受性分析【JST・京大機械翻訳】

Single Event Effect Sensitivity Analysis of SiC Device

著者 (10件)： Yu Qingkui (中国空間技術研究院,北京,100029) ,  Cao Shuang (中国空間技術研究院,北京,100029) ,  Zhang Hongwei (中国空間技術研究院,北京100029;国防科技工業抗輻照応用技術創新中心,北京100029) ,  Mei Bo (中国空間技術研究院,北京100029;国防科技工業抗輻照応用技術創新中心,北京100029) ,  Sun Yi (中国空間技術研究院,北京100029;国防科技工業抗輻照応用技術創新中心,北京100029) ,  Wang He (中国空間技術研究院,北京,100029) ,  Li Xiaoliang (中国空間技術研究院,北京100029;国防科技工業抗輻照応用技術創新中心,北京100029) ,  Lv He (中国空間技術研究院,北京100029;国防科技工業抗輻照応用技術創新中心,北京100029) ,  Li Pengwei (中国空間技術研究院,北京100029;国防科技工業抗輻照応用技術創新中心,北京100029) ,  Tang Min (中国空間技術研究院,北京100029;国防科技工業抗輻照応用技術創新中心,北京100029)
資料名： Yuanzineng Kexue Jishu  (Yuanzineng Kexue Jishu)
巻： 53  号： 10  ページ： 2114-2119  発行年： 2019年 
JST資料番号： C2078A  ISSN： 1000-6931  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 次世代の宇宙飛行体は高圧、低電力損失を有する第3世代半導体SiCデバイスを使用でき、デバイスの選択と耐放射線設計に根拠を提供するため、SiCMOSFETとSiCダイオードを対象とし、単粒子効果敏感性分析を行う。重イオン試験によると、低電圧では、重イオンはSiCデバイス内部に永久損傷を生じ、漏れ電流の増加を引き起こし、さらに単一粒子に焼けた。SiCMOSFETとSiCダイオードの実験結果は類似していた。実験結果は,SiCデバイスが単一粒子に弱く,デバイスタイプとは関係なく,SiC材料と関係があることを示した。空間応用のニーズを満たすために、SiCデバイスの放射効果メカニズム、試験方法及びデバイス強化技術などの研究をさらに展開する必要がある。Data from Wanfang. Translated by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 高圧 ,  *炭化ケイ素 ,  漏れ電流 ,  重イオン ,  宇宙飛行体 ,  感度解析 ,  ダイオード ,  放射線 ,  半導体
準シソーラス用語： 試験方法 ,  低電圧 ,  電力損失 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 原子力一般  (MA01010E) ,  半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E)

タイトルに関連する用語 (3件)： SiC ,  単一粒子 ,  感受性分析