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J-GLOBAL ID：202002271732530183   整理番号：20A0201375

Co粒子で電気化学的に修飾したねじれグラフェンにおける電気伝導率と磁気抵抗【JST・京大機械翻訳】

Electrical conductivity and magnetoresistance in twisted graphene electrochemically decorated with Co particles

著者 (12件)： Fedotov А.К. (Institute for Nuclear Problems of Belarusian State University, Bobruiskaya str. 11, Minsk, 220006, Belarus) ,  Fedotov А.К. (Belarusian State University, Nezavisimostci av. 4, 220006, Minsk, Belarus) ,  Prischepa S.L. (Belarusian State University of Informatics and Radioelectronics, P. Browka str. 6, 220013, Minsk, Belarus) ,  Prischepa S.L. (National Research Nuclear University (MEPhI), Kashirskoe Highway 31, Moscow, 115409, Russia) ,  Fedotova J.A. (Institute for Nuclear Problems of Belarusian State University, Bobruiskaya str. 11, Minsk, 220006, Belarus) ,  Bayev V.G. (Institute for Nuclear Problems of Belarusian State University, Bobruiskaya str. 11, Minsk, 220006, Belarus) ,  Ronassi Ali Arash (Payaame Noor University in Borujerd, PO BOX 19395-3697, Tehran, Iran) ,  Komissarov I.V. (Belarusian State University of Informatics and Radioelectronics, P. Browka str. 6, 220013, Minsk, Belarus) ,  Komissarov I.V. (National Research Nuclear University (MEPhI), Kashirskoe Highway 31, Moscow, 115409, Russia) ,  Kovalchuk N.G. (Belarusian State University of Informatics and Radioelectronics, P. Browka str. 6, 220013, Minsk, Belarus) ,  Vorobyova S.A. (Research Institute for Physical Chemical Problems of the Belarusian State University, Leningradskaya str. 9, Minsk, 220006, Belarus) ,  Ivashkevich O.A. (Research Institute for Physical Chemical Problems of the Belarusian State University, Leningradskaya str. 9, Minsk, 220006, Belarus)
資料名： Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures  (Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures)
巻： 117  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： W1066A  ISSN： 1386-9477  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 磁気センサにおける磁気金属/グラフェンハイブリッド構造の応用には,高品質低オーム(障壁フリー)接触の形成と,金属/グラフェン接触面積の近くとそれを通る電荷移動の機構の理解が必要である。本論文では,Co粒子(Co-G/SiO_2)で電気化学的に修飾したねじりグラフェンの試料を作製し,Coとグラフェンシート間の完全なオーム電気接触を実証した。純粋なねじれグラフェン(G/SiO_2)とCo-G/SiO_2試料の表面抵抗の温度と磁場依存性を,Drude伝導率に対する3D Mott可変範囲ホッピングと2D弱局在化量子補正のモデル内で考察した。Co-G/SiO_2試料における大規模ポテンシャル緩和の増強に起因するLorentz力の影響下での電流伝導経路の歪みによるPMRの成長を仮定して,弱磁場B(1~2T以下)における主に負の磁気抵抗効果から5Tを超える正磁気抵抗(PMR)への実験的に観測された転移を説明する現象論的モデルを提案した。本研究では,磁気センシングにおける金属(分布,脱断片化)シャントおよび高品質オーム電極の両方を作製するために,Co粒子によるG/SiO_2修飾の応用に対する新しいアプローチを考察した。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 緩和現象 ,  *磁気抵抗 ,  *ねじり変形 ,  二次元 ,  電荷移動 ,  複合構造 ,  Lorentz力 ,  ホッピング伝導 ,  ねじり ,  三次元 ,  電流 ,  *磁気 ,  *電気伝導率 ,  弱磁場 ,  *グラフェン

分類 (1件)： その他の無機化合物の磁性  (BM06060P)

タイトルに関連する用語 (7件)： CO ,  電気化学 ,  修飾 ,  ねじれ ,  グラフェン ,  電気伝導率 ,  磁気抵抗