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J-GLOBAL ID:202002271755449032   整理番号:20A1002883

InSe層状半導体の構造研究【JST・京大機械翻訳】

Structural investigation of InSe layered semiconductors
著者 (10件):
資料名:
巻: 311  ページ: Null  発行年: 2020年 
JST資料番号: H0499A  ISSN: 0038-1098  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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最近の10年間に,III-VI層状半導体(GaSe,InSe,GaSなど)は,FETやオプトエレクトロニクスデバイスなどの様々な応用の可能性のある候補として出現した。このクラスの層状材料の特性はそれらの構造に強く依存し,異なるポリタイプの存在は構造相の同定を必要とする。本研究では,X線回折(XRD),透過型電子顕微鏡(TEM)およびRaman分光法により,バルクInSeの結晶構造および形態の詳細な研究を行った。使用した技術の組合せはInSe試料(εポリタイプ)の構造相を同定することを可能にした。最も重要なことに,各技術の情報を交差させるだけで,類似のポリタイプ間の明確な識別が可能であることを示した。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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