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J-GLOBAL ID：202002271856454791   整理番号：20A0577266

単一層VI_3のバナジウムドーパントと歪依存磁気特性【JST・京大機械翻訳】

Vanadium dopant- and strain-dependent magnetic properties of single-layer VI₃

著者 (5件)： Baskurt M. (Department of Photonics, Izmir Institute of Technology, 35430 Izmir, Turkey) ,  Eren I. (Department of Physics, Izmir Institute of Technology, 35430 Izmir, Turkey) ,  Yagmurcukardes M. (Department of Physics, University of Antwerp, Groenenborgerlaan 171, B-2020 Antwerp, Belgium) ,  Sahin H. (Department of Photonics, Izmir Institute of Technology, 35430 Izmir, Turkey) ,  Sahin H. (ICTP-ECAR Eurasian Center for Advanced Research, Izmir Institute of Technology, 35430 Izmir, Turkey)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 508  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二次元VI_3の最近の合成に動機付けられて,第一原理計算により単分子層VI_3の磁気的及び電子的性質に及ぼすVドーピングの影響を調べた。単分子層VI_3の動的に安定な半導体強磁性(FM)および反強磁性(AFM)相は,磁気状態がRaman分光法により識別できるという特徴的な振動特徴を示すことが分かった。実験的に観測された過剰V原子の効果を明らかにするために,VドープVI_3構造の磁気的および電子的性質を解析した。著者らの発見は,部分的にドープされたVI_3構造がFM基底状態を示し,一方,完全にドープされた構造はAFM基底状態を示すことを示している。完全ドープ単分子層VI_3は,その元の構造よりも比較的大きなバンドギャップをもつ半導体であることが分かった。さらに,完全および部分的にドープしたVI_3構造の歪依存性の電子的および磁気的性質は,純粋な単分子層が5%の圧縮歪に対してFMからAFMへの相転移を示すが,完全ドープ単分子層VI_3構造は4%以上の引張歪でAFMからFMへの半導体転移を有することを明らかにした。対照的に,部分的にドープされたVI_3単分子層は,二軸歪下でロバストなFM基底状態を示すことが分かった。そのドーパントと歪調整可能な電子的および磁気的性質は,単分子層VI_3をナノスケールのスピントロニクス素子における応用のための有望な材料にする。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *磁気的性質 ,  *ドーパント ,  二次元 ,  基底状態 ,  ドーピング ,  *磁気 ,  Raman分光法 ,  バンドギャップ ,  半導体 ,  ロバスト性 ,  反強磁性 ,  単分子層 ,  強磁性 ,  相転移 ,  *バナジウム

分類 (2件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  その他の無機化合物の磁性  (BM06060P)

タイトルに関連する用語 (5件)： 単一層 ,  バナジウム ,  ドーパント ,  歪 ,  磁気特性