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J-GLOBAL ID：202002271877760527   整理番号：20A0819038

先進ノード上の埋め込みソリューションのためのOXRAM 統計的信頼性と設計制約を考慮したスケーリング展望【JST・京大機械翻訳】

OxRAM for embedded solutions on advanced node: scaling perspectives considering statistical reliability and design constraints

著者 (17件)： Sandrini J. (Univ. Grenoble-Alpes,CEA, LETI,Grenoble,France,38000) ,  Barlas M. (Univ. Grenoble-Alpes,CEA, LETI,Grenoble,France,38000) ,  Nodin J. F. (Univ. Grenoble-Alpes,CEA, LETI,Grenoble,France,38000) ,  Billoint O. (Univ. Grenoble-Alpes,CEA, LETI,Grenoble,France,38000) ,  Molas G. (Univ. Grenoble-Alpes,CEA, LETI,Grenoble,France,38000) ,  Fournel R. (Univ. Grenoble-Alpes,CEA, LETI,Grenoble,France,38000) ,  Nowak E. (Univ. Grenoble-Alpes,CEA, LETI,Grenoble,France,38000) ,  Gaillard F. (Univ. Grenoble-Alpes,CEA, LETI,Grenoble,France,38000) ,  Cagli C. (Univ. Grenoble-Alpes,CEA, LETI,Grenoble,France,38000) ,  Grenouillet L. (Univ. Grenoble-Alpes,CEA, LETI,Grenoble,France,38000) ,  Meli V. (Univ. Grenoble-Alpes,CEA, LETI,Grenoble,France,38000) ,  Castellani N. (Univ. Grenoble-Alpes,CEA, LETI,Grenoble,France,38000) ,  Hammad I. (Univ. Grenoble-Alpes,CEA, LETI,Grenoble,France,38000) ,  Bernasconi S. (Univ. Grenoble-Alpes,CEA, LETI,Grenoble,France,38000) ,  Aussenac F. (Univ. Grenoble-Alpes,CEA, LETI,Grenoble,France,38000) ,  Van Duijn S. (Univ. Grenoble-Alpes,CEA, LETI,Grenoble,France,38000) ,  Audoit G. (Univ. Grenoble-Alpes,CEA, LETI,Grenoble,France,38000)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2019  号： IEDM  ページ： 30.5.1-30.5.4  発行年： 2019年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： OxRAM技術は,主にその低い製造コストにより,スケール化ノード(<=40nm)に埋め込まれたソリューションに対する最強の候補の一つである。ビットセルをスケールするために,OxRAMとセレクタ装置の両方を考慮しなければならない。本論文では,最初に,OxRAMの信頼性が直径30nmまでのスケーリングにより如何に影響されるかを示し,大きな統計(4kbitアレイ)上での形成電圧,BERおよびデータ保持に焦点を合わせた。いくつかの戦略を提供してBERを低減し,10~6BERの結果を予測した。次に,薄いゲート酸化物トランジスタ(GO1/SG)が,メモリビットが100nmの直径に近づくと,OxRAMの高電圧要求を満たすことができることを示し,非常に良好な性能(単一ビットで10~7サイクルまで)を持つ,FDSOIトランジスタとのOxRAM(120nm)共集積を実証した。最後に,0.1μm2ビットセルと170nm OxRAMセルを特徴とする40nm,32Mb+ECCにおけるOxRAM埋め込み溶液の設計例を示した。Copyright 2020 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 電圧 ,  *信頼性 ,  記憶装置 ,  選別器 ,  製造原価 ,  トランジスタ
準シソーラス用語： FDSOI ,  ゲート酸化膜 ,  データリテンション , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I) ,  医用画像処理  (JE04020T) ,  NMR一般  (BM07041R)

タイトルに関連する用語 (8件)： ノード ,  埋め込み ,  ソリューション ,  統計 ,  設計 ,  制約 ,  スケーリング ,  展望