文献

J-GLOBAL ID：202002271980590784   整理番号：20A2618284

炭化ケイ素(SiC)MOSFETを用いた電動機駆動における電磁干渉(EMI)の実験研究【JST・京大機械翻訳】

Experimental Investigation on Electromagnetic Interference (EMI) in Motor Drive Using Silicon Carbide (SiC) MOSFET

著者 (5件)： Wu Yingzhe (University of Electronic Science and Technology of China,School of Aeronautics and Astronautics,Chengdu,China) ,  Yin Shan (China Academy of Engineering Physics,Microsystem and Terahertz Research Center,Chengdu,China) ,  Liu Zhaoyi (China Electronics Technology Group Corporation,Beijing,China) ,  Li Hui (University of Electronic Science and Technology of China,School of Aeronautics and Astronautics,Chengdu,China) ,  See Kye Yak (Nanyang Technological University,School of Electrical and Electronic Engineering,Singapore)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2020  号： EMC EUROPE  ページ： 1-6  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： モータ駆動は産業応用に広く適用されている。炭化ケイ素(SiC)MOSFETのような次世代ワイドバンドギャップ半導体デバイスの緊急性により,モータ駆動の性能を改善できる。しかし,SiC MOSFETによってもたらされる高速スイッチング速度と重大なスイッチングリングリングは,望ましくない高周波(HF)電磁干渉(EMI)を引き起こし,それは多くの側面におけるモータ駆動の信頼性を著しく減少させる可能性がある。モータ駆動に存在するEMIの機構を明らかにするために,本論文では,相対実験結果に基づいて,モータのHFインピーダンスとSiC MOSFETのスイッチング特性の両方の影響を解析した。EMIに及ぼすモータインピーダンスの影響を,SiC MOSFETのドレインソース電圧,モータの接地電圧,CM電圧,モータの位相電流,およびCM電流のスペクトル解析を通して詳しく説明した。さらに,EMIに対するSiC MOSFETのスイッチング性能の影響も詳細に議論した。上記の解析に基づいて,モータインピーダンス,SiC MOSFETのスイッチング性能,およびHFEMIの間の関係を図示して,モータ駆動応用における非常に役立つ支援を提供できる。Copyright 2020 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： インピーダンス ,  スイッチング ,  電圧 ,  電流 ,  信頼性 ,  *電動機 ,  *MOSFET ,  *炭化ケイ素 ,  HF【周波数】 ,  スペクトル解析 ,  *電磁干渉 ,  位相 ,  接続品質 ,  *電動機駆動
準シソーラス用語： ワイドギャップ半導体 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (8件)： 炭化ケイ素 ,  SiC ,  MOSFET ,  電動機駆動 ,  電磁干渉 ,  EMI ,  実験 ,  研究