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J-GLOBAL ID：202002271998643845   整理番号：20A0062868

スパッタ窒化アルミニウム薄膜の光学的キャラクタリゼーション c軸配向度と屈折率の相関【JST・京大機械翻訳】

Optical characterization of sputtered aluminum nitride thin films - correlating refractive index with degree of c-axis orientation

著者 (9件)： Ababneh A. (Electronics Engineering Department, Hijjawi Faculty for Engineering Tech., Yarmouk University, Jordan) ,  Ababneh A. (Chair of Micromechanics, Microfluidics/Microactuators, Faculty of Natural Sciences and Technology, Saarland University, Germany) ,  Albataineh Z. (Electronics Engineering Department, Hijjawi Faculty for Engineering Tech., Yarmouk University, Jordan) ,  Dagamseh A.M.K. (Electronics Engineering Department, Hijjawi Faculty for Engineering Tech., Yarmouk University, Jordan) ,  Al-kofahi I.S. (Electronics Engineering Department, Hijjawi Faculty for Engineering Tech., Yarmouk University, Jordan) ,  Schaefer B. (INM-Leibniz Institute for New Materials, Campus D2 2, 66123 Saarbruecken, Germany) ,  Zengerle T. (Chair of Micromechanics, Microfluidics/Microactuators, Faculty of Natural Sciences and Technology, Saarland University, Germany) ,  Bauer K. (Chair of Micromechanics, Microfluidics/Microactuators, Faculty of Natural Sciences and Technology, Saarland University, Germany) ,  Seidel H. (Chair of Micromechanics, Microfluidics/Microactuators, Faculty of Natural Sciences and Technology, Saarland University, Germany)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 693  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 窒化アルミニウム(AlN)は,高組成金属酸化物半導体プロセス適合性を有する良く知られた化合物圧電材料である。以前の結果は,圧電係数がAlNのc軸配向と相関することを示した。本研究では,再活性スパッタしたAlN薄膜の光学的性質を,分光エリプソメトリを用いて膜の構造特性(すなわちc軸配向)との関係を見出すために調べた。結果は,ほとんど同じ膜厚に対して,高c軸配向膜は,低c軸配向または非晶質層をもつ膜と比較して,より高い屈折率を有することを示した。X線回折と屈折率で測定した(002)ピーク強度の間の関係を示した。546nmの波長では,屈折率は高い(002)ピーク強度をもつ膜に対して2.15から,ピーク強度の約半分をもつ膜に対して2.11まで減少し,さらに優先配向のない膜に対して1.90まで低下した。さらに,同じスパッタリング条件で,膜厚の変化は屈折率に有意な影響を及ぼさないように見えた。X線反射率測定から得たAlN薄膜質量密度の結果は屈折率測定と一致した。高いc軸配向をもつAlN薄膜の質量密度は,高い屈折率をもたらし,エピタキシャル成長したAlN層に対して3.23g/cm3と比較して,2.99g/cm3であった。この値はc軸配向の悪い膜で2.82g/cm3に減少した。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 光学的性質 ,  膜厚 ,  *薄膜 ,  優先配向 ,  X線回折 ,  屈折分析 ,  適応性 ,  非晶質 ,  波長 ,  スパッタリング ,  キャラクタリゼーション ,  *屈折率 ,  圧電材料 ,  構造特性 ,  *窒化アルミニウム

著者キーワード (7件)： DCマグネトロンスパッタリング ,  窒化アルミニウム ,  c軸 ,  分光偏光解析法 ,  屈折率 ,  X線反射率 ,  膜密度

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (9件)： スパッタ ,  窒化アルミニウム ,  薄膜 ,  光学 ,  キャラクタリゼーション ,  C軸 ,  配向度 ,  屈折率 ,  相関