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J-GLOBAL ID:202002272012164217   整理番号:20A1011656

神経形態コンピューティング応用のための中性酸素照射強化形成レスZnOベース透明アナログメモリスタデバイス【JST・京大機械翻訳】

Neutral oxygen irradiation enhanced forming-less ZnO-based transparent analog memristor devices for neuromorphic computing applications
著者 (7件):
資料名:
巻: 31  号: 26  ページ: 26LT01 (9pp)  発行年: 2020年 
JST資料番号: W0108A  ISSN: 0957-4484  CODEN: NNOTER  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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中性酸素照射を用いた表面酸化は,ZnO系透明メムリスタデバイスのスイッチングとシナプス性能を著しく改善した。照射したままの素子の耐久性は100倍増加し,動作電流は堆積したままの素子と比較して10倍低下した。さらに,性能強化デバイスは,セル不揮発性多状態特性当たり3ビットを示す優れたアナログ挙動を有し,高度に線形な重み更新を伴うシナプス操作の15の安定したエポックを実行する。1600シナプスを含む模擬人工ニューラルネットワークは,40×40画素グレースケール画像の処理における強化デバイスの優位性を確認した。照射は,酸素空格子点ドナー欠陥の濃度を効果的に減少させ,ZnO膜の表面上の酸素格子間アクセプタ欠陥を促進し,その結果,フィラメントの破壊と再活性化の間の酸化還元過程を調節する。本研究は,高密度の不可視データ記憶とメモリ計算応用のためのZnOベースのメムリスタデバイスの可能性を提案するだけでなく,中性酸素照射技術の利点を利用することによって,使用した酸化物システムにかかわらず,高性能メムリスタデバイスの設計における価値ある洞察を提供する。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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半導体集積回路 

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