CF_4/NH_3プラズマによるフルオロケイ酸アンモニウムを用いた表面洗浄のためのSiO_2の原子層エッチング【JST・京大機械翻訳】

Cho Yegeun; Kim Yongjae; Kim Sunjung; Chae Heeyeop

文献

J-GLOBAL ID：202002272057617895 整理番号：20A0634398

CF_4/NH_3プラズマによるフルオロケイ酸アンモニウムを用いた表面洗浄のためのSiO_2の原子層エッチング【JST・京大機械翻訳】

Atomic layer etching of SiO₂ for surface cleaning using ammonium fluorosilicate with CF₄/NH₃ plasma

出版者サイト複写サービスで全文入手 {{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=20A0634398&COPY=1") }}
高度な検索・分析はJDreamⅢで {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=20A0634398&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=C0789B") }}

著者 (4件)： , , ,
資料名：
巻： 38 号： 2 ページ： 022604-022604-6 発行年： 2020年
JST資料番号： C0789B ISSN： 0734-2101 CODEN： JVTAD6 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

本研究では,原子層エッチング(ALE)プロセスを開発し,CF_4/NH_3によるSiO_2の除去のために研究した。フルオロケイ酸アンモニウム[AFS,(NH_4)_2SiF_6]層を,CF_4/NH_3プラズマを用いてSiO_2上に首尾よく形成し,ランプを用いて100°C以上の熱処理により除去した。2.7nm/サイクルの酸化物除去率をCF_4/NH_3化学で達成し,ALEプロセスの自己制限特性を除去率によって実証した。CF_4/NH_3プラズマによるSiO_2のALEプロセスの後,SiO_2表面上に炭素残留物は観察されなかった。CF_4/NH_3プラズマの反応特性をNF_3/NH_3プラズマのものと比較した。NF_3/NH_3による除去率は9.1nm/サイクルで,600sで飽和しないCF_4/NH_3より3倍高い。CF_4/NH_3プラズマによるより低い除去比率は,NF_3におけるN-F結合と比較して,CF_4におけるより強いC-F結合に起因した。さらに,より強い結合はHFとNH_4F反応物を形成するために必要なより少ないフッ素ラジカルを生成する。本研究は,CF_4がナノメートルスケールでの酸化物層の除去のためのALEプロセスに適していることを実証した。さらに,それは三次元デバイスにおける酸化物のナノスケール除去のための効果的なプロセスを提供する。Copyright 2020 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

, , , , , , , ,
, , , , , , 【Automatic Indexing@JST】

固体デバイス製造技術一般

, , , ,

前のページに戻る