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J-GLOBAL ID：202002272113030465   整理番号：20A0427989

ハロゲン化Aurivilliusペロブスカイト:オプトエレクトロニクス応用のための二次元材料の新しいファミリー【JST・京大機械翻訳】

Aurivillius Halide Perovskite: A New Family of Two-Dimensional Materials for Optoelectronic Applications

著者 (6件)： Zhao Shuai (Chongqing Key Laboratory of Green Energy Materials Technology and Systems, School of Science, Chongqing University of Technology, P. R. China) ,  Lan Chunfeng (School of Automotive and Transportation Engineering, Shenzhen Polytechnic, P. R. China) ,  Li Huanhuan (Chongqing Key Laboratory of Green Energy Materials Technology and Systems, School of Science, Chongqing University of Technology, P. R. China) ,  Zhang Chu (Department of Materials Science and Engineering, China Jiliang University, P. R. China) ,  Ma Tingli (Department of Materials Science and Engineering, China Jiliang University, P. R. China) ,  Ma Tingli (Graduate School of Life Science and Systems Engineering, Kyushu Institute of Technology, Fukuoka, Japan)
資料名： Journal of Physical Chemistry C  (Journal of Physical Chemistry C)
巻： 124  号： 3  ページ： 1788-1793  発行年： 2020年 
JST資料番号： W1877A  ISSN： 1932-7447  CODEN： JPCCCK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 層状ペロブスカイトは,それらの優れた電子特性と安定性のため,オプトエレクトロニクス応用においてかなりの注目を集めている。本研究では,準二次元Aurivilliusハロゲン化物ペロブスカイトを密度汎関数理論を用いて調べた。単層AurivilliusペロブスカイトBa_2PBI_6は,1.89eVの直接バンドギャップを持つと予測され,それは,Ruddlesden-PopperペロブスカイトCs_2PBI_4のそれに近い。Fermi準位近傍の電子構造は主に[PbX_6]八面体によって支配され,それはCs_2PBI_4のそれに類似した電子的性質をもたらす。分解エネルギーは,これらのAurivilliusペロブスカイトが熱不安定性を示すことを明らかにした。しかしながら,[PbX_6]八面体層の数の増加は,安定性を強化し,バンドギャップを減少させることができる。著者らの結果は,n≧5に対して,熱的に安定なClベースのAurivilliusペロブスカイトBa_2Cs_n-1Pb_nCl_3n+3を合成することが可能であることを示した。Pbフリー代替物を評価するために,BiおよびInベースのAurivilliusペロブスカイトも計算した。これらの計算は光電子応用のための新しい層状ペロブスカイトの探索における理論的支持として役立つ。Copyright 2020 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *ハロゲン化 ,  光電子 ,  密度汎関数法 ,  塩素 ,  バンドギャップ ,  八面体 ,  ハロゲン化物 ,  Fermi準位 ,  ビスマス ,  *オプトエレクトロニクス ,  電子構造 ,  インジウム ,  単一層
準シソーラス用語： 直接バンドギャップ ,  層状ペロブスカイト , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 太陽電池  (NC03084O) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (7件)： ハロゲン化 ,  Aurivillius ,  ペロブスカイト ,  オプトエレクトロニクス ,  応用 ,  二次元材料 ,  ファミリー