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J-GLOBAL ID：202002272338929516   整理番号：20A1099028

Hall測定における2つの伝導チャネルを持つAlGaN/GaN型高Electron移動度トランジスタヘテロ構造における補償電流の起源と影響【JST・京大機械翻訳】

The Origin and Influence of Compensatory Current in AlGaN/GaN Type High Electron Mobility Transistor Heterostructures with Two Conducting Channels on the Hall Measurements

著者 (4件)： Glinkowski Mateusz (The Faculty of Microsystem Electronics and Photonics, Wroclaw University of Science and Technology, Janiszewskiego 11/17, 50-372, Wroclaw, Poland) ,  Paszkiewicz Bogdan (The Faculty of Microsystem Electronics and Photonics, Wroclaw University of Science and Technology, Janiszewskiego 11/17, 50-372, Wroclaw, Poland) ,  Wosko Mateusz (The Faculty of Microsystem Electronics and Photonics, Wroclaw University of Science and Technology, Janiszewskiego 11/17, 50-372, Wroclaw, Poland) ,  Paszkiewicz Regina (The Faculty of Microsystem Electronics and Photonics, Wroclaw University of Science and Technology, Janiszewskiego 11/17, 50-372, Wroclaw, Poland)
資料名： Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science  (Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)
巻： 217  号： 9  ページ： e1900661  発行年： 2020年 
JST資料番号： D0774A  ISSN： 1862-6300  CODEN： PSSABA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 第二の導電性チャネルは,金属有機気相エピタクシー(MOVPE)技術により堆積したAlGaN/GaN型高電子移動度トランジスタ(HEMT)ヘテロ構造において形成され,その中で,バッファGaN層の成長中に圧力が変化し,その高い抵抗率を確保する。第二の寄生性の伝導性チャネルは,gaN-gaN界面で生じる非意図的ドーピングの結果として誘起されると述べた。77から420Kまでの広い温度範囲におけるHall測定を用いて,シート抵抗率,シートキャリア濃度,およびヘテロ構造の電子移動度を得た。等価回路に基づくAlGaN/GaN型HEMTヘテロ構造における多層輸送の理論モデルは補償電流の推定を可能にする。理論モデルに基づいて,2つの伝導チャネルを持つ試料のHall測定の補正マップを評価した。Hall測定から得た測定した電子移動度μ_measを,方程式μ_1=αμ_measを用いた2つの伝導チャネルを持つ試料の2D電子ガス(2DEG)移動度μ_1の決定に適用した。適切な補正係数αは第二チャネルパラメータ,すなわちシート抵抗と第二伝導チャネルの移動度に依存することを観測した。Copyright 2020 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *移動度 ,  界面 ,  電気抵抗率 ,  *電流 ,  等価回路 ,  ドーピング ,  キャリア密度 ,  二次元 ,  *窒化ガリウム ,  MOCVD ,  二次元電子ガス ,  シート抵抗 ,  導電性
準シソーラス用語： 電子移動度 ,  *ヘテロ構造 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 2D電子ガス移動度 ,  AlGaN/GaN ,  Hall効果 ,  高電子移動度トランジスタ ,  ヘテロ構造

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y)

タイトルに関連する用語 (9件)： 伝導 ,  チャネル ,  AlGaN ,  GaN ,  移動度 ,  トランジスタ ,  ヘテロ構造 ,  補償 ,  起源