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J-GLOBAL ID：202002272407291485   整理番号：20A1751276

サブミクロン結合ピッチを有する超高密度SoIC【JST・京大機械翻訳】

Ultra High Density SoIC with Sub-micron Bond Pitch

著者 (7件)： Chen Y. H. (Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.,Integrated Interconnect & Packaging, R&D,Hsinchu,Taiwan,R.O.C,300-75) ,  Yang C. A. (Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.,Integrated Interconnect & Packaging, R&D,Hsinchu,Taiwan,R.O.C,300-75) ,  Kuo C. C. (Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.,Integrated Interconnect & Packaging, R&D,Hsinchu,Taiwan,R.O.C,300-75) ,  Chen M. F. (Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.,Integrated Interconnect & Packaging, R&D,Hsinchu,Taiwan,R.O.C,300-75) ,  Tung C. H. (Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.,Integrated Interconnect & Packaging, R&D,Hsinchu,Taiwan,R.O.C,300-75) ,  Chiou W. C. (Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.,Integrated Interconnect & Packaging, R&D,Hsinchu,Taiwan,R.O.C,300-75) ,  Yu Douglas (Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.,Integrated Interconnect & Packaging, R&D,Hsinchu,Taiwan,R.O.C,300-75)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2020  号： ECTC  ページ： 576-581  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 密度≧1.2百万ボンド/mm2を可能にするサブミクロンピッチチップ間垂直相互接続を有する超高密度3D技術,SoIC_UHDを初めて報告した。SoIC_UHDのプロベン収率と信頼性を,鋳物フロントエンドウエハレベル3D不均一システム統合(WLSI)プラットフォームで実証した。SoIC_UHDによるミニチップレットへのSoCの深い分割は,マイクロバンプによる従来の3DIC積層によって達成されるよりも,Mooreの法則を長期にわたって拡張できる。トランジスタスケーリングに相補的なマイクロシステムスケーリングは,トランジスタ密度,システムPPA,およびコスト競争力の改善を継続できる。Copyright 2020 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： トランジスタ ,  信頼性 ,  相互接続 ,  社債 ,  鋳物 ,  *三次元 ,  システムインテグレーション
準シソーラス用語： システムオンチップ ,  高密度 ,  Mooreの法則 ,  マイクロバンプ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (3件)： サブ ,  ピッチ ,  高密度