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J-GLOBAL ID：202002272593219051   整理番号：20A0167657

硫黄原子吸着ブラックリン表面の第一原理計算【JST・京大機械翻訳】

著者 (1件)： Hu Junling (西南大学,重慶,400700)
資料名： Keji Chuangxin yu Yingyong  (Keji Chuangxin yu Yingyong)
号： 33  ページ： 13-14  発行年： 2019年 
JST資料番号： C4005A  ISSN： 2095-2945  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 近年、新型の二次元半導体材料である黒リンは、その特殊な物理的性質のため、広く注目されている。本論文では、第一性原理システムを利用して、硫黄原子が黒リン表面に吸着する濃度によるバンドギャップへの影響を研究した。研究により、原子が2x2のスーパーセルに吸着した時、バンドギャップは原始0.81eVから1.06eVに変化し、同時に構造の安定性が増大することが分かった。吸着濃度のバンドギャップ値を変えると、硫黄原子が黒リン表面に吸着し、2x2-2,3x3-2、4x4-2、2x2,3x3、4x4のスーパーセルにおいて、硫黄原子が黒リン表面に吸着するとき、吸着エネルギーが負になることが分かった。Data from Wanfang. Translated by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 黒リン ,  バンドギャップ ,  吸着エネルギー ,  *吸着
準シソーラス用語： 二次元半導体 ,  *第一原理計算 ,  *原子吸着 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 界面化学一般  (CB12010J)

タイトルに関連する用語 (5件)： 硫黄 ,  原子吸着 ,  ブラック ,  リン ,  第一原理計算