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J-GLOBAL ID：202002272595781994   整理番号：20A1884093

80MeVのXeイオンを照射したGdBCO被覆導体における方向性依存形態の柱状欠陥による強い磁束ピン止め

Strong flux pinning by columnar defects with directionally dependent morphologies in GdBCO-coated conductors irradiated with 80 MeV Xe ions

著者 (10件)： Sueyoshi Tetsuro (Faculty of Advanced Science and Technology, Kumamoto University, Kumamoto 860-8555, Japan) ,  Kotaki Tetsuya (Faculty of Advanced Science and Technology, Kumamoto University, Kumamoto 860-8555, Japan) ,  Furuki Yuichi (Faculty of Advanced Science and Technology, Kumamoto University, Kumamoto 860-8555, Japan) ,  Fujiyoshi Takanori (Faculty of Advanced Science and Technology, Kumamoto University, Kumamoto 860-8555, Japan) ,  Semboshi Satoshi (Tohoku University, Katahira 2-1-1, Aoba-ku, Sendai, Miyagi 980-8577, Japan) ,  Ozaki Toshinori (Kwansei Gakuin University, 2-1 Gakuen, Sanda, Hyogo 669-1337 Japan) ,  Sakane Hitoshi (SHI-ATEX Co., Ltd., 1501, Imazaike, Saijo-shi, Ehime, 799-1393, Japan) ,  Kudo Masaki (Kyushu University, Fukuoka 819-0395, Japan) ,  Yasuda Kazuhiro (Kyushu University, Fukuoka 819-0395, Japan) ,  Ishikawa Norito (Japan Atomic Energy Agency (JAEA), Tokai-mura, Ibaraki 319-1195, Japan)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 59  号： 2  ページ： 023001 (7pp)  発行年： 2020年02月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GdBa₂Cu₃O_yの被覆導体への80MeVのXeイオン照射は,c軸に対する照射角θ_iに依存して異なる形態の柱状欠陥(CD)を生成するが,θ_i=45°での斜め照射では,大きな直径を持つ連続CDが形成され,一方,異なる角度(θ_i=0°)での同じイオンビームは不連続CDの形成を誘起することを示した。CDの方向依存形態は臨界電流密度J_cの角挙動に大きく影響した。特に,低エネルギー照射欠陥は,θ_i=0°と±45°の照射角のユニークな組合せにおけるJ_cのさらなる改善を誘起し,θ_i=0°での不連続CDとθ_i=±45°での交差CDは広い角度範囲で相関ピン止めを与え,それはキンクのピン止めによって互いに強く増強された。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *磁束ピン止め ,  *ガドリニウム化合物 ,  バリウム化合物 ,  金属酸化物 ,  銅化合物 ,  *高温超伝導体 ,  導体 ,  格子欠陥 ,  イオン照射 ,  キセノン ,  MeV領域 ,  イオンビーム ,  臨界電流密度 ,  照射欠陥 ,  柱状欠陥 ,  被覆導体
準シソーラス用語： GdBCO

分類 (1件)： 酸化物系超伝導体の物性  (BM04023I)

タイトルに関連する用語 (7件)： Xe ,  イオン ,  被覆導体 ,  方向性 ,  形態 ,  柱状欠陥 ,  磁束ピン止め